[發明專利]襯底涂層及其形成方法

有效

• 申請號: 201010170129.9
• 申請日: 2010-04-30
• 公開（公告）號: CN102234785A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 陳少揚
• 申請（專利權）人: 永恒科技有限公司
• 主分類號: C23C16/22
• 分類號: C23C16/22;C23C16/26;C23C16/44;C23C16/52
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 劉國偉

1.一種襯底涂層，其包含：

第一層，其用于附著于襯底上，所述第一層的成分至少包含硅含量豐富的碳，其中硅含量約等于或大于碳含量；及

第二層，其附著于所述第一層上，所述第二層的成分至少包含摻雜氟的類金剛石碳。

2.根據權利要求1所述的涂層，其中所述第一層中硅與碳的比例約在1∶1到20∶1之間。

3.根據權利要求1所述的涂層，其中所述第一層作為所述第二層與所述襯底的應力匹配界面。

4.根據權利要求1所述的涂層，其中所述摻雜氟的類金剛石碳中氟與碳的比例實質上落在約1∶0.5到1∶100的范圍內。

5.根據權利要求1所述的涂層，其中所述摻雜氟的類金剛石碳中氟與碳的比例實質上落在約1∶10到1∶80的范圍內。

6.根據權利要求1所述的涂層，其中所述第一層及第二層是以等離子輔助式化學氣相沉積的工藝形成于所述襯底上。

7.根據權利要求1所述的涂層，其中第一層及第二層的厚度實質上各小于約100nm。

8.根據權利要求1所述的涂層，其中所述襯底由玻璃、不銹鋼、鎂合金、陶瓷、鋁或鋁合金形成。

9.一種形成涂層的方法，其包含：

在襯底上形成第一層，所述第一層的成分至少包含硅含量豐富的碳，其中硅含量約等于或大于碳含量；及

在所述第一層上形成第二層，所述第二層的成分至少包含摻雜氟的類金剛石碳。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述第一層中硅與碳的比例約在1∶1到20∶1之間。

11.根據權利要求9所述的方法，其中所述第一層作為所述第二層與所述襯底的應力匹配界面。

12.根據權利要求9所述的方法，其中所述摻雜氟的類金剛石碳中氟與碳的比例實質上落在約1∶0.5到1∶100的范圍內。

13.根據權利要求9所述的方法，其中所述摻雜氟的類金剛石碳中氟與碳的比例實質上落在約1∶10到1∶80的范圍內。

14.根據權利要求9所述的方法，其中形成所述第一層及第二層的步驟是以等離子輔助式化學氣相沉積的工藝形成。

15.根據權利要求9所述的方法，其中所述襯底由玻璃、不銹鋼、鎂合金、陶瓷、鋁或鋁合金形成。

16.根據權利要求14所述的方法，其中操作壓力約在0.1Torr，且沉積速度約在1nm/min到500nm/min之間。

17.根據權利要求14所述的方法，其進一步包含調整等離子輔助化學氣相沉積設備的偏壓的步驟。

18.根據權利要求14所述的方法，其進一步包含注入氧氣、氮氣、氬氣或氦氣以與反應氣體混合的步驟。