[發明專利]半導體裝置以及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201010170101.5
• 申請日: 2010-04-21
• 公開（公告）號: CN101872748A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發明（設計）人: 芳我基治;安永尚司;糟谷泰正
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L23/10
• 分類號: H01L23/10;H01L23/42;H01L23/495
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 劉建

1.一種半導體裝置，其包含：

半導體芯片；

與上述半導體芯片接合的固體板；以及

介于上述半導體芯片與上述固體板之間、并由BiSn系材料構成的接合件，其中，

上述接合件具有用于提高上述半導體芯片與上述固體板之間的熱傳導性的由Ag構成的熱傳導通路。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

在上述接合件中的與上述半導體芯片和/或上述固體板的界面附近，形成由Sn-Ag合金構成的金屬層。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述接合件中的Sn含有量超過0wt％并在4wt％以下。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，

上述接合件中的Sn含有量超過1wt％并在3wt％以下。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，

上述接合件中的Sn含有量超過1.5wt％并在2.5wt％以下。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述固體板是由金屬構成的引線框架的島。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述半導體芯片形成為300～400μm厚的四角板狀。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述接合件主要含有BiSn。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

在上述半導體芯片中的與上述接合件的接合面上形成含有Au、Ni、Ag的背面金屬。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，

在上述背面金屬上形成由Ag構成的芯片鍍層。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，

上述芯片鍍層的厚度是0.1～2.0μm。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述固體板是芯片鍵合上述半導體芯片的裸片焊盤，

在上述裸片焊盤上形成具有1.0～10.0μm厚度的焊盤鍍層。

13.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述接合件含有比Sn多的Bi。

14.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述接合件含有由Ag、Sn、Co、Cu、Au、Ni、Zn的至少一種構成的副成分。

15.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述接合件的熔點是260～270℃。

16.根據權利要求15所述的半導體裝置，其中，

上述接合件的熔點是260～263℃。

17.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述固體板是芯片鍵合上述半導體芯片的裸片焊盤，

在該裸片焊盤的周圍形成與上述半導體芯片電連接的多個引線，

多個上述引線由與上述裸片焊盤相同的Cu薄板構成。

18.根據權利要求17所述的半導體裝置，其中，

上述引線由0.1～5.0mm厚度構成。

19.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述接合件由Bi-2Sn構成。

20.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述熱傳導通路是在上述接合件內擴展的網狀組織。

21.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述熱傳導通路在上述接合件內以蜘蛛網狀擴展。

22.根據權利要求21所述的半導體裝置，其中，

蜘蛛網狀的上述熱傳導通路達到上述接合件的大致整個區域。