[發明專利]含三芳基胺的聚合物及電子器件無效
| 申請號: | 201010170091.5 | 申請日: | 2005-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN101899143A | 公開(公告)日: | 2010-12-01 |
| 發明(設計)人: | 萬中;米切爾·因巴斯卡拉;余旺林;陳揚 | 申請(專利權)人: | 住友化學株式會社 |
| 主分類號: | C08G61/12 | 分類號: | C08G61/12;C08G73/00;C09K11/06;C07C211/59;C07C209/74;C07C217/92;C07C213/08 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 陳平 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 含三芳基胺 聚合物 電子器件 | ||
本申請是PCT國際申請日為2005年12月1日,國家申請號為200580039985.8(原PCT國際申請號為PCT/US2005/043222),發明名稱為“含三芳基胺的聚合物及電子器件”的申請的分案申請。
本申請要求2004年12月3日提交的臨時申請即美國申請60/633,357的優先權,該臨時申請通過引用結合到此。
本發明涉及含三芳基胺的聚合物組合物以及含這些組合物的電子器件。
發明背景
已知共軛聚合物具有光電性質。有幾個報導已經證實了來自芴均聚物的藍光發射,例如A.W.Grice;D.D.C.Bradley,M.T.Bemius;M.Inbasekaran,W.Wu,E.P.Woo;Appl.Prep.Lett.1998,73,Y.Young和Q.Pei;J.Appl.Prep.81,3294(1997)。WO?01/81294A1教導了一種用電荷傳輸三環芳基胺封端的芴聚合物。美國專利5,874,179(Kreuder等)教導了基于具有含氮共聚單體的聚亞苯基亞乙烯基的光電聚合物。另外,Kreuder進一步教導芴在基于聚亞苯基亞乙烯基的聚合物中能夠成為稠合含氮環結構的一部分。
WO?2004/024670描述了一種低成本制備高純度三芳基胺和二芳基胺的方法,該方法是通過芳族鹵素化合物與芳族胺在有機鹽即銅催化劑和堿存在下的反應進行的。芳基可以是萘基。JP?20022175883描述了一種含發射藍紫色光的三芳基胺化合物的有機電致發光器件。三-(4-溴萘基)胺的合成已有詳細描述,并且據報道這種化合物在有機電致發光器件中發射紫-藍光。Momura等(Macromolecules,37(4)20041204-1210)描述了二(1-萘基)-4-甲苯基胺均聚物的合成及其在有機發光器件中作為空穴傳輸層的應用。JP?1999184109描述了電子照相感光體的組成以及使用這種感光體的電子照相裝置,其中所述電子照相感光體擁有三芳基胺衍生物基的電荷輸送層。用作電荷輸送層的三芳基胺具有一個取代的芳基、Ar,和兩個連接到氮原子上的芴基。
但是仍然需要具有良好的傳導率并且效率得到提高的光電材料和器件,其在較低操作電壓下發射具有高亮度的深藍色光。
發明概述
本發明人發現,在共軛或部分共軛聚合物的主鏈中包含特殊類型的三芳基胺部分使在低電壓下的電導率得到顯著改善以及提供了比現有技術更高的器件效率,并且它能夠發射深藍色的光。
更具體而言,本發明是骨架上含有式I結構單元的共軛或部分共軛聚合物:
其中,Ar1和Ar2各自獨立地為帶有兩個或更多個稠合在一起的芳環的取代或未取代亞芳基或雜亞芳基,而Ar3是C4至C40的芳基或雜芳基或取代的C4至C40的芳基或雜芳基。
在另一方面,本發明是含有式I的膜。在另一方面,本發明是含式I的聚合物與至少一種其它共軛聚合物的共混物。在還另一方面,本發明是包含膜的電致發光器件,所述膜包含含式I的聚合物。在另一方面,本發明是光電池,該光電池包含第一電極、含有含式I的聚合物的膜以及第二電極。
在又另一方面,本發明是場效應晶體管,該場效應晶體管包括:(a)絕緣體層,所述絕緣體層是電絕緣體,而所述絕緣體層具有第一面和第二面;(b)柵極,所述柵極為電導體,柵極被安置為與所述絕緣體層的第一面相鄰;(c)半導體層,所述半導體層包含含式I的聚合物以及第二電極;(d)源極,所述源極是電導體,源極與半導體層的第一末端電接觸;以及(e)漏極,所述漏極為電導體,其與半導體層的第二末端電接觸。
在另一方面,本發明是式V的組合物
其中Ar1和Ar2是亞芳基或雜亞芳基,而Ar3是芳基或雜芳基,其中X是離去基團比如鹵素、硼酸或硼酸酯。
發明詳述
在一個實施方案中,本發明是含共軛或部分共軛聚合物的聚合物,所述共軛或部分共軛聚合物具有式I的結構單元:
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