[發明專利]氮化物半導體光學元件及其制造方法無效
| 申請號： | 201010170035.1 | 申請日： | 2010-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN101931161A | 公開（公告）日： | 2010-12-29 |
| 發明（設計）人： | 福田和久 | 申請（專利權）人： | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/028 | 分類號： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 陳海濤;樊衛民 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 光學 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一種氮化物半導體光學元件，包含：
襯底；
有源層，其由含有Ga作為構成元素的III族氮化物半導體構成，且設置在所述襯底上；
第一保護膜，其至少設置在所述有源層的發光端面上；和
第二保護膜，其設置在所述第一保護膜上，
所述第一保護膜與構成所述發光端面的半導體接觸，以及
所述第一保護膜的與所述半導體接觸的部分由具有金紅石結構的TiO2膜構成。
2.如權利要求1所述的氮化物半導體光學元件，
其中在所述第一保護膜中，從所述半導體觀察，依次設置有所述具有金紅石結構的TiO2膜和緩沖膜。
3.如權利要求1所述的氮化物半導體光學元件，
其中設置有所述第一保護膜，使得緩沖膜保持在其兩側的所述具有金紅石結構的TiO2膜之間，以及
所述具有金紅石結構的TiO2膜被分別設置，使得一部分與所述半導體接觸，一部分與所述第二保護膜接觸。
4.如權利要求2所述的氮化物半導體光學元件，
其中所述緩沖膜含有無定形TiO2膜。
5.如權利要求1所述的氮化物半導體光學元件，
其中所述第二保護膜的折射率比所述第一保護膜小。
6.如權利要求1所述的氮化物半導體光學元件，
其中所述第二保護膜含有Al2O3。
7.一種制造氮化物半導體光學元件的方法，包括：
在襯底上形成具有有源層的堆疊結構，所述有源層由含有Ga作為構成元素的III族氮化物半導體構成；以及
至少在所述有源層的發光端面上設置第一保護膜和第二保護膜，
設置所述第一保護膜，使得其與構成所述發光端面的半導體接觸，以及
所述第一保護膜的與所述半導體接觸的部分由具有金紅石結構的TiO2膜構成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于瑞薩電子株式會社，未經瑞薩電子株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010170035.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
