[發明專利]一種制備ZnO納米針陣列的方法

無效

• 申請號: 201010169824.3
• 申請日: 2010-05-07
• 公開（公告）號: CN101845619A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發明（設計）人: 唐斌;稅正偉;張強;諶貴輝;劉忠華
• 申請（專利權）人: 西南石油大學
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/02
• 代理公司: 南充三新專利代理有限責任公司 51207
• 代理人: 許祥述

1.一種制備ZnO納米針陣列的方法，按下列步驟進行：

(a)利用化學清洗方法將Si基片表面清洗干凈，并利用氫氟酸刻蝕法去除其表面的氧化層，備用；

(b)將盛有高純度＞99.95％ZnO粉末的氧化鋁舟放入管式爐中心的熱蒸發位置；

(c)將清洗好的單晶Si基片放入管式爐中生長位置，基片表面向上；

(d)前期熱蒸發沉積，和后期熱蒸發沉積，其特征在于：前期熱蒸發以升溫率20-25℃/min的速度將管式爐中的蒸發區溫度上升到1340-1360℃，爐管內保持在200-300Torr的真空度，傳輸氣體為Ar氣，流量為35-40sccm，持續時間25-30分鐘；

(e)再行后期熱蒸發沉積，后期熱蒸發沉積以升溫率20-25℃/min的速度將管式爐中的蒸發區溫度上升到1430-1460℃，爐管內保持在200-300Torr的真空度，傳輸氣體為Ar氣，流量為35-40sccm，持續時間5-8分鐘，即完成ZnO納米針陣列的制備。