[發(fā)明專利]一種制備高純度鎂的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010169780.4 | 申請日： | 2010-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN102242279A | 公開（公告）日： | 2011-11-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張祖逖;梅徐德;徐國光;謝瑞寶 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海艾帕斯鎂業(yè)科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號： | C22B26/22 | 分類號： | C22B26/22 |
| 代理公司： | 上海碩力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 201203 上海市張江高科技*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制備 純度 方法 | ||
1.一種制備高純度鎂的方法，其特征在于包括以下步驟：
(1)將原料鎂球裝料后進行液壓密封于窯爐內(nèi)；
(2)窯爐內(nèi)的電極通電使得原料鎂球發(fā)生還原反應(yīng)形成單質(zhì)鎂；
(3)單質(zhì)鎂在高溫條件下形成鎂蒸汽后通過過濾器，即得到所需的高純度鎂。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備高純度鎂的方法，其特征在于：將通過過濾器的鎂蒸汽經(jīng)結(jié)晶器結(jié)晶得到塊狀固體鎂。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備高純度鎂的方法，其特征在于：所述的窯爐在使用過程中其爐體內(nèi)為真空環(huán)境。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述制備高純度鎂的方法，其特征在于：窯爐內(nèi)的溫度為大于1300℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備高純度鎂的方法，其特征在于：所述電極為二氧化錫電極、具有防氧化涂層的鉬電極和保護石墨電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備高純度鎂的方法，其特征在于：所述的過濾裝置內(nèi)裝有用于吸附雜質(zhì)的鋯質(zhì)梯度小球。
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