[發(fā)明專利]量子阱紅外探測器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010169563.5
• 申請日: 2010-05-07
• 公開（公告）號(hào): CN101859808A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉燕君
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫沃浦光電傳感科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/101
• 分類號(hào): H01L31/101;H01L31/0304
• 代理公司: 上海碩力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31251
• 代理人: 王法男

1.一種量子阱紅外探測器，包括：GaAs襯底層，在所述GaAs襯底層上通過分子束外延技術(shù)或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積依次逐層生長的：

未摻雜的GaAs緩沖層；

n型摻雜的GaAs下電極層；

先勢壘后勢阱交替生長多個(gè)周期形成的多量子阱層；

Al_xGa_1-xAs勢壘層；

n型摻雜的GaAs上電極層；

其特征在于，所述的多量子阱層，每個(gè)周期包括一個(gè)Al_xGa_1-xAs勢壘層和一個(gè)GaAs勢阱層，所述Al_xGa_1-xAs勢壘層的厚度為所述GaAs勢阱層的厚度的15～20倍，所述的多量子阱層一個(gè)周期的厚度為80～120nm，所述的多量子阱層的周期數(shù)為15～20。

2.如權(quán)利要求1所述的量子阱紅外探測器，其特征在于，所述GaAs勢阱層進(jìn)行n型摻雜，所摻雜質(zhì)為硅，其摻雜濃度高于1×10¹⁸cm^-3。

3.如權(quán)利要求1所述的量子阱紅外探測器，其特征在于，所述勢壘高度由Al_xGa_1-xAs中的Al組分x決定，x的范圍在0.1～0.5。

4.如權(quán)利要求1所述的量子阱紅外探測器，其特征在于，所述量子阱紅外探測器屬于束縛態(tài)到連續(xù)態(tài)或準(zhǔn)連續(xù)態(tài)躍遷型量子阱紅外探測器。

5.如權(quán)利要求1所述的量子阱紅外探測器，其特征在于，所述量子阱紅外探測器采用表面光柵結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的量子阱紅外探測器，其特征在于，所述量子阱紅外探測器的工作溫度高于200K。