[發明專利]超快軟恢復二極管芯片的生產方法無效
| 申請號： | 201010169517.5 | 申請日： | 2010-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN101866854A | 公開（公告）日： | 2010-10-20 |
| 發明（設計）人： | 王健 | 申請（專利權）人： | 襄樊三瑞達電力半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 襄樊中天信誠知識產權事務所 42218 | 代理人： | 帥玲 |
| 地址： | 441003 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 超快軟 恢復 二極管 芯片 生產 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種超快軟恢復二極管芯片的生產方法，包括外延片清洗、磷預淀積、噴砂、硼擴散及磷高溫再分布、雙面噴砂、氧化退火、鉑擴散、清洗、刻槽、玻璃鈍化保護、電極蒸發、劃片，其特征在于：對晶片采用真空蒸鉑的方法后再進行鉑擴散。
2.根據權利要求1所述的超快軟恢復二極管芯片的生產方法，其特征在于：所述真空蒸鉑和鉑擴散方法為：使用蒸發釜進行真空蒸鉑，在擴散爐中采用900℃-1000℃的溫度擴散0.5-2.5小時。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
