[發明專利]用于激光直寫的TeOX基薄膜材料及其制備方法無效
| 申請號： | 201010169391.1 | 申請日： | 2010-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN101845608A | 公開（公告）日： | 2010-09-29 |
| 發明（設計）人： | 王小勇;耿永友;顧冬紅 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海光學精密機械研究所 |
| 主分類號： | C23C14/00 | 分類號： | C23C14/00;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 張澤純 |
| 地址： | 201800 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 激光 teo sub 薄膜 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于激光直寫的TeOX基薄膜材料，其特征在于該薄膜材料是由金屬Te或合金SbTe通過與O2反應而沉積在K9玻璃基片上形成的TeOX或(SbTe)OX復合薄膜，其中X的取值范圍為0＜X＜2。
2.權利要求1所述的用于激光直寫的TeOx基薄膜材料的制備方法，其特征在于該方法包括下列步驟：
①基片的制備：采用兩面拋光的K9玻璃基片，表面粗糙度小于10nm，基片經洗滌劑和清水浸泡清洗，再用無水乙醇超聲波清洗三次，取出后用高純氮氣吹干待用；
②將所述的基片置于磁控濺射鍍膜機的基片架上，將濺射用的碲靶或碲銻合金靶放在磁控濺射鍍膜機的靶基座上，所述的基片位于所述的靶基座上方80～100毫米高處；
③用磁控濺射鍍膜機的機械泵和分子泵，將鍍膜機真空腔的真空度抽至5×10-4Pa以下，通入氣體，采用氬氣為本底氣體、氧氣為反應氣體，氧氣和氬氣流量比的取值范圍為(0.2～20)∶80，保持濺射工作氣壓為0.2～0.7Pa；采用射頻電源，濺射功率為30～50W，在電場作用下氬原子電離成氬離子，并在電磁場作用下轟擊所述的碲靶或碲銻合金靶，所述的碲靶或碲銻合金靶的一部分金屬原子和氧氣反應生成氧化物和另一部分未反應的金屬原子同時濺射到所述的基片上，經3至7分鐘后，在所述的基片上形成TeOX或(SbTe)OX復合薄膜，X的取值范圍在0到2之間。
3.根據權利要求2所述的用于激光直寫的TeOX基薄膜材料的制備方法，其特征在于所述的靶材為直徑60mm、純度為99.9％以上的碲靶或碲銻合金靶。
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