[發(fā)明專利]薄形硅晶片的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010169382.2
• 申請日: 2010-05-07
• 公開（公告）號: CN102234840A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚罡;李紅軍;徐軍
• 申請（專利權(quán)）人: 姚罡;李紅軍;徐軍
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B15/36;C30B28/10
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 張澤純

1.一種薄形硅晶片的制備方法，特征在于包括以下步驟：

①制備籽晶：按照所需生長薄形硅晶片橫斷面的形狀并按晶體生長的取向?qū)⒐鑶尉w或多晶硅錠加工成具有所需生長薄形硅晶片橫截面的形狀的籽晶；

②安裝籽晶：將所述的籽晶按晶體生長方向朝下固定在生長裝置的籽晶架上；

③配料：將高純多晶硅粉料或塊料以及達(dá)到所需電阻率對應(yīng)濃度的摻雜元素的高純原料置于石英坩堝中，再將該石英坩堝置于所述的生長裝置的密閉容器的石墨發(fā)熱體中；

④化料：將所述的密閉容器內(nèi)抽真空，真空度范圍為10^-8～10^-3乇，將氬氣充入密閉容器至0.5～3個(gè)大氣壓，起保護(hù)作用，所述的石墨發(fā)熱體通電加熱，將所述的石英坩堝內(nèi)的溫度升至石英坩堝內(nèi)原料的熔點(diǎn)以上，并保持0.2～2個(gè)小時(shí)，使原料充分融化，形成熔體；

⑤生長晶體：調(diào)整生長裝置中的溫場，達(dá)到所述的硅晶體的生長溫度，通過籽晶架的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)將所述的籽晶下降，使部分籽晶浸入所述的熔體中，同時(shí)調(diào)整籽晶的提拉速度，采用直拉法從熔體中生長出的帶狀的單晶或多晶硅晶體，該單晶或多晶硅晶體的橫截面形狀與所述的籽晶橫截面的形狀相似；

⑥對所述的帶狀的硅晶體進(jìn)行加工，得到所需要的薄形硅晶片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的籽晶形狀為片狀、棒狀、瓦片狀或筒狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的籽晶架具有一個(gè)以上的籽晶夾，每個(gè)籽晶夾夾設(shè)一塊籽晶。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述的籽晶架上的籽晶夾的排列方法包括橫向排列、縱向排列或縱橫組合排列。