[發明專利]閃耀凸面光柵的反應離子束蝕刻方法有效
| 申請號： | 201010169360.6 | 申請日： | 2010-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN101900844A | 公開（公告）日： | 2010-12-01 |
| 發明（設計）人： | 黃元申;張大偉;倪爭技;朱冬月;徐邦聯;莊松林;孫劉杰 | 申請（專利權）人： | 上海理工大學 |
| 主分類號： | G02B5/18 | 分類號： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 宋冠群 |
| 地址： | 20009*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 閃耀 凸面 光柵 反應 離子束 蝕刻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種閃耀凸面光柵的反應離子束蝕刻方法，特征在于該蝕刻方法包括以下步驟：
步驟一、凸面光柵掩模石英基片的放置；
步驟二、若凸面光柵掩模石英基片的球半徑為R，要制成的閃耀凸面光柵的閃耀角為θ，則將離子束方向與光柵頂點處刻線所在平面成θ角；
步驟三、制作蝕刻狹縫；
步驟四、狹縫的放置；
步驟五、蝕刻凸面光柵。
2.根據權利要求1所述的蝕刻方法，特征在于所述步驟一中，凸面光柵掩模石英基片的放置，是將槽形為正弦型的凸面光柵掩模石英基片放置在一個回轉工作臺上，球心在回轉工作臺的回轉軸上；凸面光柵掩模頂點處刻線所在平面經過回轉軸，其余刻線所在平面平行于回轉軸。
3.根據權利要求1所述的蝕刻方法，特征在于所述步驟三中，所述的狹縫是一個二次錐面，寬度長度由凸面光柵掩模石英基片外形尺寸決定，只要大于基片外形尺寸即可。
4.根據權利要求1所述的蝕刻方法，特征在于所述步驟四中，所述狹縫到凸面光柵掩模石英基片的頂點的距離大于狹縫的上下圓弧線與凸面光柵掩模石英基片頂點的圓弧刻線有相同回轉中心軸。
5.根據權利要求1所述的蝕刻方法，特征在于所述步驟五中，蝕刻區域為相對于角度的凸面光柵掩模圓弧面上的光柵刻線。蝕刻完成后由回轉工作臺旋轉角度再進行第二次蝕刻，直到凸面光柵掩模的整個圓弧面全部蝕刻結束為止。
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