[發(fā)明專(zhuān)利]電壓供應(yīng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010168840.0
• 申請(qǐng)日: 2010-04-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102237138A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊光軍;肖軍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C16/30
• 分類(lèi)號(hào): G11C16/30;G05F1/56
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種電壓供應(yīng)電路，尤其設(shè)計(jì)一種用于非揮發(fā)性存儲(chǔ)器件的讀電壓的電壓供應(yīng)電路。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器件往往需要多個(gè)精準(zhǔn)的電壓，用作讀寫(xiě)的控制電壓或者參考電壓信號(hào)，如閃存(flash?memory)中的編程電壓、擦除電壓、讀電壓等。現(xiàn)有技術(shù)中的電壓供應(yīng)電路一般使用電壓調(diào)節(jié)器(regulator)對(duì)參考電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，根據(jù)不同操作的需求產(chǎn)生相應(yīng)電壓值的輸出電壓。

圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的一種電壓供應(yīng)電路與存儲(chǔ)單元104的連接結(jié)構(gòu)示意圖，用于向存儲(chǔ)單元104提供讀電壓，該電壓供應(yīng)電路使用電壓調(diào)節(jié)器100對(duì)基準(zhǔn)電壓源產(chǎn)生的參考電壓Vref進(jìn)行調(diào)節(jié)，產(chǎn)生輸出電壓Vout。所述輸出電壓Vout輸入至所述存儲(chǔ)單元104的電壓輸入端，當(dāng)存儲(chǔ)單元104進(jìn)入讀操作周期且完成譯碼過(guò)程后，所述輸出電壓Vout輸入至譯碼選中后的存儲(chǔ)單元，用作相應(yīng)的讀操作的字線電壓。

圖2為圖1所示結(jié)構(gòu)的具體電路結(jié)構(gòu)，其中所述電壓調(diào)節(jié)器100包括運(yùn)算放大器101、驅(qū)動(dòng)單元102和反饋單元103，圖2所示的電路結(jié)構(gòu)中所述驅(qū)動(dòng)單元102具體包括PMOS晶體管M1，反饋單元103具體包括由電阻R1和電阻R2構(gòu)成的電阻網(wǎng)絡(luò)。所述運(yùn)算放大器101用作比較器，反饋單元103產(chǎn)生的分壓電壓作為反饋電壓Vfb，通過(guò)反饋電壓Vfb與參考電壓Vref的比較結(jié)果來(lái)控制PMOS晶體管M1的導(dǎo)通情況，經(jīng)過(guò)多次反饋后，使得反饋電壓Vfb與參考電壓Vref的電壓值趨于相等，從而得到穩(wěn)定的輸出電壓。在實(shí)際應(yīng)用中，可以通過(guò)調(diào)整參考電壓Vref的電壓值和反饋單元103中的電阻網(wǎng)絡(luò)的電阻值來(lái)獲得預(yù)期的輸出電壓Vout。

關(guān)于電壓供應(yīng)電路及電壓調(diào)節(jié)器，更多詳細(xì)說(shuō)明還可以參考已經(jīng)公開(kāi)的申請(qǐng)?zhí)枮?00710197115.4的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)。

現(xiàn)有技術(shù)為了降低功耗，所述電壓調(diào)節(jié)器100并不是一直保持工作狀態(tài)的，而是在所述存儲(chǔ)單元104開(kāi)始讀操作后才相應(yīng)的被激活而進(jìn)入工作狀態(tài)。圖3示出了該方案的電路結(jié)構(gòu)示意圖，所述存儲(chǔ)單元104在使能信號(hào)ACTIVE有效時(shí)開(kāi)始工作(即進(jìn)入讀操作過(guò)程)，否則停止工作，則所述電壓調(diào)節(jié)器100也相應(yīng)的在所述使能信號(hào)ACTIVE有效時(shí)開(kāi)始工作，其輸出電壓Vout為有效電平，在其他情況下并不工作，其輸出電壓Vout為無(wú)效電平。圖4示出了使能信號(hào)ACTIVE和所述電壓調(diào)節(jié)器100產(chǎn)生的輸出電壓Vout的示意圖，結(jié)合圖3和圖4，在使能信號(hào)ACTIVE有效后，所述存儲(chǔ)單元104開(kāi)始進(jìn)入讀操作周期，所述電壓調(diào)節(jié)器100也相應(yīng)的開(kāi)始工作。但是由于電壓調(diào)節(jié)器100為反饋式的工作過(guò)程，其被激活后需要經(jīng)過(guò)一延遲時(shí)間Td后，輸出電壓Vout才能變化至穩(wěn)定的有效電平。如果在該延遲時(shí)間Td期間內(nèi)，所述存儲(chǔ)單元104已經(jīng)完成相應(yīng)的譯碼過(guò)程，但是由于所述輸出電壓Vout還未上升至有效電平，因此需要等待其穩(wěn)定后才能進(jìn)行該讀操作，使得所述存儲(chǔ)單元104的讀操作過(guò)程的響應(yīng)速度較慢。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種電壓供應(yīng)電路，改善存儲(chǔ)單元的讀操作的響應(yīng)速度。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種電壓供應(yīng)電路，用于向存儲(chǔ)單元提供電壓，所述存儲(chǔ)單元包括電壓輸入端，所述電壓供應(yīng)電路包括：

第一電壓調(diào)節(jié)器，在所述存儲(chǔ)單元工作時(shí)對(duì)參考電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，產(chǎn)生工作電壓，在所述存儲(chǔ)單元未工作時(shí)停止工作；

第二電壓調(diào)節(jié)器，對(duì)所述參考電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，產(chǎn)生待機(jī)電壓；

控制單元，控制所述電壓輸入端在所述存儲(chǔ)單元開(kāi)始工作的一預(yù)設(shè)時(shí)間后接收所述工作電壓，否則接收所述待機(jī)電壓。

可選的，所述第一電壓調(diào)節(jié)器和第二電壓調(diào)節(jié)器分別包括：運(yùn)算放大器，其正輸入端接收所述參考電壓；PMOS晶體管，其柵極連接所述運(yùn)算放大器的輸出端，源極連接電源正極；反饋單元，對(duì)所述PMOS晶體管的漏極電壓分壓后產(chǎn)生反饋電壓輸入至所述運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端，其中，所述運(yùn)算放大器還包括偏置端，接收偏置電流以供其工作，所述第一電壓調(diào)節(jié)器的PMOS晶體管的漏極電壓為所述工作電壓，所述第二電壓調(diào)節(jié)器的PMOS晶體管的漏極電壓為所述待機(jī)電壓。

可選的，所述第二電壓調(diào)節(jié)器中的運(yùn)算放大器的偏置電流小于所述第一電壓調(diào)節(jié)器中的運(yùn)算放大器的偏置電流。

可選的，所述存儲(chǔ)單元由使能信號(hào)控制，在所述使能信號(hào)有效時(shí)工作，在所述使能信號(hào)無(wú)效時(shí)停止工作，所述使能信號(hào)同時(shí)輸入至所述第一電壓調(diào)節(jié)器，控制所述第一電壓調(diào)節(jié)器在所述使能信號(hào)有效時(shí)工作，在所述使能信號(hào)無(wú)效時(shí)停止工作。