[發明專利]太陽能電池

無效

• 申請號: 201010168797.8
• 申請日: 2010-04-30
• 公開（公告）號: CN101866967A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: 汪連山;申志輝;劉勝
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/0304;H01L31/18
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 王守仁

1.一種太陽能電池，其特征是一種硅基單結氮化鎵銦太陽能電池，該電池的結構為由自下而上排列的背面電極(11)、硅襯底(1)、籽晶層(2)、緩沖層(3)、n型摻雜的氮化鎵緩沖層(4)、In_aGa_1-aN層(5)、非故意摻雜的In_bGa_1-bN層(6)、p型摻雜的In_cGa_1-cN層(7)、窗口層(8)、正面電極(9)和減反射導電膜(10)組成，其中：硅襯底(1)和In_aGa_1-aN層(5)為n型摻雜結構，籽晶層(2)和緩沖層(3)由氧化鋅材料制成，窗口層(8)由p型重摻雜的氮化鎵制成，減反射導電膜(10)覆蓋窗口層(8)除正面電極(9)外的區域。

2.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：硅襯底(1)的電子濃度為5E14-2E20/cm³。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：籽晶層(2)和緩沖層(3)的厚度分別為0.01-0.1μm、0.2-2.5μm。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：n型摻雜的氮化鎵緩沖層(4)的厚度為0.5-3μm，電子濃度為1E16-1E19/cm⁹。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述n型摻雜In_aGa_1-aN層(5)的厚度為0.05-0.3μm，電子濃度為5E17-5E19/cm³，0.15≤a≤0.35。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述的非故意摻雜的In_bGa_1-bN層(6)的厚度為0.2-0.6μm，0.45≤b≤0.65。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述的p型摻雜的In_cGa_1-cN層(7)的厚度為0.05-0.2μm，空穴濃度為1E17-1E19/cm³，0.05≤c≤0.45。

8.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述的窗口層(8)的厚度為0.05-0.2μm，空穴濃度為5E17-5E19/cm³，并使用強堿處理成絨面結構。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于所述的電極中，正面電極(9)是金電極或鎳金電極或鉻金電極，厚度為0.2-5μm；背面電極(11)是銀電極或銀鋁電極，厚度為0.5-10μm。

10.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述的減反射導電膜(10)的材料是ITO導電膜或AZO導電膜或ZnS/MgF₂膜，厚度為0.05-0.1μm。