[發明專利]磁光電流傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 201010168763.9
• 申請日: 2010-05-12
• 公開（公告）號: CN101819225A
• 公開（公告）日: 2010-09-01
• 發明（設計）人: 焦新兵;錢波;樓柿濤;蔣春萍;王亦
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00;G01D3/036
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 陳忠輝

1.磁光電流傳感器，其特征在于：采用模塊化的器件結構，包括沿光路 方向依次排列設置的光纖輸入模塊、光纖輸入矯正模塊、磁光晶體模塊、光纖 輸出模塊及光纖輸出矯正模塊，其中所述磁光晶體模塊包括石榴石及其上沿光 路方向依次生長形成的緩沖層、永磁薄膜及保護層，所述光纖輸入矯正模塊包 括相串聯的光纖準直器、保偏輸入光纖及光強探測器，所述光纖輸出矯正模塊 包括相串聯的光纖準直器、保偏輸出光纖及光強探測器；所述光纖輸入矯正模 塊與光纖輸入模塊的偏振分束器相關聯，并與光纖輸入模塊一并輸出至磁光晶 體模塊，所述磁光晶體模塊的輸出相連到光纖輸出模塊的偏振分束器，且所述 光纖輸出矯正模塊與所述光纖輸出模塊的偏振分束器相關聯。

2.根據權利要求1所述的磁光電流傳感器，其特征在于：所述磁光晶體 模塊的緩沖層的薄膜厚度為5nm～100μm；永磁薄膜的厚度為10nm～1cm，至 少包括釹鐵硼，釤鈷，鋁鎳鈷中的一種或一種以上；所述保護層的厚度為 1nm～10μm，至少包括SiO₂，SiN，Cr，Ta中的一種或一種以上。

3.根據權利要求1所述的磁光電流傳感器，其特征在于：所述光纖輸入 模塊用于提供偏振光源，包括保偏輸入光纖、輸入光纖準直器、偏振分束器。

4.根據權利要求1所述的磁光電流傳感器，其特征在于：所述光纖輸出 模塊用于提供探測及分析用輸出光，包括偏振分束器、輸出光纖準直器、保偏 輸出光纖及光強探測器。

5.權利要求1所述的磁光電流傳感器的制造方法，沿光路定位設置各模 塊化構件，其特征在于：所述模塊化構件中的磁光晶體模塊的制備方法包括步 驟：I、采用超聲波清洗并烘干石榴石，將掩膜板壓貼于石榴石表面；II、將 石榴石放入薄膜生長系統中，真空環境下在石榴石表面依次生長緩沖層及永磁 薄膜；III、對生長產物升溫至550℃～800℃進行二次退火；Ⅳ、室溫下生長保 護層，并對永磁薄膜磁化充磁，得到磁光晶體模塊。

6.根據權利要求5所述的磁光電流傳感器的制造方法，其特征在于：所 述步驟II中薄膜生長的方法至少包括磁控濺射法、電子束蒸發法或脈沖激光沉 積法。