[發(fā)明專利]雙極發(fā)光場效應晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010168735.7
• 申請日: 2005-01-17
• 公開（公告）號: CN101847689A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發(fā)明（設計）人: J·佐邁塞爾;H·西林豪斯;蔡麗麗;P·K-H·何;R·H·弗蘭德
• 申請（專利權(quán)）人: 劍橋企業(yè)有限公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/52;G09G3/32
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 任宗華

1.一種雙極發(fā)光晶體管，其包括在注入電極和空穴注入電極之間的有機半導體區(qū)，當在偏置狀況下操作時，所述有機半導體區(qū)能發(fā)光，在所述偏置狀況下，負電子從電子注入電極注入到有機半導體區(qū)內(nèi)，和正空穴從空穴注入電極注入到有機半導體區(qū)內(nèi)。

2.權(quán)利要求1的雙極發(fā)光晶體管，其中電子注入電極和空穴注入電極通過限定晶體管溝道長度的距離L隔開，其中光從中發(fā)射的有機半導體區(qū)離電子注入電極和空穴注入電極二者的距離大于L/10。

3.權(quán)利要求1的雙極發(fā)光晶體管，其中光從中發(fā)射的有機半導體區(qū)離電子注入電極以及空穴注入電極二者的距離大于1微米。

4.權(quán)利要求1的雙極發(fā)光晶體管，其中光從中發(fā)射的有機半導體區(qū)離電子注入電極以及空穴注入電極二者的距離大于5微米。

5.對前述任何一項權(quán)利要求的雙極發(fā)光晶體管設置偏置的方法，其中選擇施加到晶體管的控制柵極電極上的偏壓介于施加到空穴注入電極上的偏壓和施加到電子注入電極上的偏壓之間。

6.操作權(quán)利要求1-4任何一項的雙極發(fā)光晶體管的方法，其中調(diào)節(jié)施加到控制柵極電極上的偏壓，施加到空穴注入電極和電子注入電極上的偏壓，使重組區(qū)域沿著晶體管的溝道移動到所需的位置上。

7.制造權(quán)利要求1-4任何一項的雙極發(fā)光晶體管的方法。

8.權(quán)利要求1-4任何一項的雙極發(fā)光晶體管用于晶體管內(nèi)發(fā)光的用途。

9.一種電路、互補電路、邏輯電路或顯示器，其包括權(quán)利要求1-4任何一項的雙極發(fā)光晶體管。

10.一種制造權(quán)利要求9的電路、互補電路或邏輯電路的方法。