[發明專利]一種太陽能電池用硅材料表面規則化的方法

無效

• 申請號: 201010168633.5
• 申請日: 2010-05-11
• 公開（公告）號: CN101866982A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: 吳志明;蔣亞東;姜晶;趙國棟;張安元
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種太陽能電池用硅材料表面規則化的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、清洗基片后，吹干；

步驟2、在基片表面沉積一層厚度為50nm-500nm的特定薄膜，該特定薄膜為氧化硅薄膜，氮化硅薄膜或鎳鎘薄膜；

步驟3、在特定薄膜表面涂上一層光刻膠，并采用特定掩膜圖形對光刻膠圖形化，所述特定掩膜圖形設置為若干個規則排列的實心圓孔陣列，圓孔直徑為0.1μm-10μm，相鄰圓心距為0.1μm-10μm；

步驟4、刻蝕基片表面的特定薄膜，使之圖形化，隨后去除特定薄膜上的光刻膠；

步驟5、將2g-12g的氫氧化鉀或氫氧化鈉，6ml-100ml的去離子水，以及6ml-25ml的異丙醇混合在一起，配制成堿濕法腐蝕液，并加溫至60℃-90℃；

步驟6、將經過步驟4圖形化的基片浸入步驟5得到堿濕法腐蝕液中進行6min-40min的腐蝕；

步驟7、使用去離子水對堿腐蝕后的基片進行漂洗，再使用氮氣吹干得到表面規則分布著尖錐的硅材料，所述尖錐底直徑為0.1μm-10μm，尖錐高為0.5μm-30μm。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池用硅材料表面規則化的方法，其特征在于，步驟1中清洗過程是依次在丙酮、酒精、去離子水中用超聲波清洗基片。