[發(fā)明專利]一種基于微芯光纖布拉格光柵的折射率傳感器及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010168622.7 | 申請日: | 2010-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN101832924A | 公開(公告)日: | 2010-09-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 吳宇;饒云江 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | G01N21/41 | 分類號: | G01N21/41;G02B6/02;G02B6/255 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 光纖 布拉格 光柵 折射率 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于微芯光纖布拉格光柵的折射率傳感器,包括微芯光纖,其特征在于:所述微芯光纖外徑為120~170微米,設置在中心的內芯直徑為0.5~3微米,在內芯的周圍設置有空氣圓孔,所述空氣圓孔的半徑為4~20微米;在內芯中寫入布拉格光柵結構:光柵周期為5~500nm,周期數為20~300;所述微芯光纖的兩端熔接標準光纖,連接各種光學儀器。
2.一種基于微芯光纖布拉格光柵的折射率傳感器的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
①選用微芯光纖的標準:外徑為120~170微米,設置在中心的內芯直徑為0.5~3微米,在內芯的周圍設置有空氣圓孔,該空氣圓孔的半徑為4~20微米;
②通過將上述微芯光纖進行載氫處理,使得內芯具有光敏特性,利于光纖布拉格光柵的寫入;
③利用準分子激光和相位掩膜法在內芯上一次性寫入布拉格光柵結構,光柵周期為5~500nm,周期數為20~300;
④將步驟③所得到的微芯光纖布拉格光柵兩端通過加熱熔接與標準光纖連接,用于連接各種光學儀器。
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