[發(fā)明專利]一種磁隧道結(jié)氧化鋁隧穿層的制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010168591.5 | 申請(qǐng)日: | 2010-05-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101833956A | 公開(公告)日: | 2010-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 荊玉蘭;唐曉莉;張懷武;蘇樺;鐘智勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G11B5/84 | 分類號(hào): | G11B5/84 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 隧道 氧化鋁 隧穿層 制備 方法 | ||
1.一種磁隧道結(jié)隧穿層的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
①先鍍制所需隧穿層總厚度2/5的金屬Al層;
②鍍制完成后,放入氧氬比為1∶2的混合氣體中,將金屬Al層氧化為Al2O3;
③當(dāng)步驟②氧化完成后,在生成的Al2O3薄膜上繼續(xù)沉積所需隧穿層總厚度3/5的金屬Al層;
④當(dāng)步驟③鍍制完成后,同樣在氧氬比為1∶2的混合氣體中,將步驟③鍍制的金屬Al層氧化為Al2O。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于電子科技大學(xué),未經(jīng)電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010168591.5/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G11B 基于記錄載體和換能器之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)而實(shí)現(xiàn)的信息存儲(chǔ)
G11B5-00 借助于記錄載體的激磁或退磁進(jìn)行記錄的;用磁性方法進(jìn)行重現(xiàn)的;為此所用的記錄載體
G11B5-004 .磁鼓信息的記錄、重現(xiàn)或抹除
G11B5-008 .磁帶或磁線信息的記錄、重現(xiàn)或抹除
G11B5-012 .磁盤信息的記錄、重現(xiàn)或抹除
G11B5-02 .記錄、重現(xiàn)或抹除的方法及其讀、寫或抹除的電路
G11B5-10 .磁頭的外殼或屏蔽罩的結(jié)構(gòu)或制造





