[發明專利]一種鈍化保護二極管芯片及其加工方法

無效

• 申請號: 201010168467.9
• 申請日: 2010-05-11
• 公開（公告）號: CN102244046A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 裘立強;魏興政
• 申請（專利權）人: 揚州杰利半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L21/312
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 奚衡寶

1.一種鈍化保護二極管芯片，所述芯片上部邊緣處設有鈍化保護層，其特征在于，所述鈍化保護層外還設有一層耐熱、絕緣和具有彈性的緩沖保護層。

2.一種權利要求1所述一種鈍化保護二極管芯片的加工方法，以正面開口溝槽的晶片為原料；然后，在所述溝槽的邊緣采用光刻工藝設置一層具有脆性的鈍化保護層，實現PN結的鈍化，其特征在于，接著，按以下步驟加工：

1)、涂布；在晶片表面均勻涂布液態的摻有增感劑的聚酰亞胺，確保其滲入所述溝槽；

2)、軟烤；將涂布有聚酰亞胺的晶片置入90-120℃環境中，0.5-1小時，使涂層凝結；

3)、掩膜；按晶片上溝槽規則制作掩膜板，掩膜板上溝槽處透光；將掩膜板覆蓋于晶片上；

4)、光照固化；對覆蓋有掩膜板的晶片進行曝光，將掩膜板上的圖形轉移到晶片表面，經光照的涂層固化，未受光照的涂層仍為凝結狀態；隨即，去除仍為凝結狀態的涂層；

5)、燒結涂層；將上步驟加工的晶片置入280-320℃環境中，2-4小時，使固化的涂層牢固地燒結于鈍化保護層表面；

6)、裂片；制得。