[發明專利]光掩膜的制作方法

無效

• 申請號: 201010168183.X
• 申請日: 2010-05-06
• 公開（公告）號: CN102236247A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 楊志剛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G03F1/08
• 分類號: G03F1/08
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種光掩膜的制作方法，首先提供石英基板，在所述石英基板上依次形成二元硅化鉬膜、鉻金屬膜以及光刻膠層；

圖案化所述光刻膠層；

以所述光刻膠層為保護層，刻蝕所述鉻金屬膜至露出所述二元硅化鉬膜；

去除所述光刻膠層；

以鉻金屬膜作為保護層，刻蝕所述二元硅化鉬膜至露出所述石英基板；

量測硅化鉬膜圖案化后的鉻金屬膜圖形的關鍵尺寸，并以所述鉻金屬膜為保護層對二元硅化鉬膜進行補償刻蝕；

去除所述鉻金屬膜。

2.根據權利要求1所述的光掩膜的制作方法，其特征在于，所述刻蝕所述鉻金屬膜以及所述刻蝕所述二元硅化鉬膜均為干法刻蝕。

3.根據權利要求1所述的光掩膜的制作方法，其特征在于，所述進行補償刻蝕為干法刻蝕，刻蝕時間為5～20秒。

4.根據權利要求1所述的光掩膜的制作方法，其特征在于，所述二元硅化鉬膜的在波長為193nm光源照射下透光率為0～0.3％。

5.根據權利要求1所述的光掩膜的制作方法，其特征在于，所述鉻金屬膜的覆蓋厚度為20～100埃，所述二元硅化鉬膜的厚度為300～800埃。