[發明專利]半導體器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201010167589.6 | 申請日： | 2010-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN101894815A | 公開（公告）日： | 2010-11-24 |
| 發明（設計）人： | 本間琢朗;高田佳史 | 申請（專利權）人： | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/485 | 分類號： | H01L23/485;H01L23/29;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華;鄭菊 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件，包括：
(a)焊盤，形成于半導體襯底的上層中；
(b)第一表面保護膜，第一開口在所述焊盤之上形成于所述第一表面保護膜中；
(c)第二表面保護膜，第二開口在所述焊盤之上形成于所述第二表面保護膜中，并且所述第二表面保護膜形成于所述焊盤和所述第一表面保護膜之上；以及
(d)樹脂構件，形成于包括所述第二開口的內部的所述第二表面保護膜之上，
其中所述焊盤具有：
(a1)第一傳導膜；以及
(a2)防反射膜，形成于所述第一傳導膜之上，
其中在所述第一開口的內區域中包括所述第二開口，
其中在所述第一開口的所述內區域中去除所述防反射膜，并且
其中所述樹脂構件包括無鹵素的構件。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中從所述第一開口的側表面暴露的所述防反射膜的側表面由所述第二表面保護膜覆蓋。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中所述無鹵素的構件具有重量百分比為0.09或者更少的氯含量、重量百分比為0.09或者更少的溴含量和重量百分比為0.09或者更少的銻含量。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中所述第一傳導膜為鋁膜，并且所述防反射膜為氮化鈦膜。
5.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中所述第一表面保護膜為氧化硅膜，并且所述第二表面保護膜為氮化硅膜。
6.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中所述半導體襯底裝配于具有端子的布線板之上。
7.根據權利要求6所述的半導體器件，
其中所述焊盤和所述端子由鍵合接線連接。
8.根據權利要求6所述的半導體器件，
其中所述布線板包括無鹵素的構件。
9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中構成所述布線板的所述無鹵素的構件具有重量百分比為0.09或者更少的氯含量和重量百分比為0.09或者更少的溴含量，并且氯和溴的總含量為重量百分比0.15或者更少。
10.一種半導體器件，包括：
(a)焊盤，形成于半導體襯底的上層中；
(b)第一絕緣膜，第一開口在所述焊盤之上形成于所述第一絕緣膜中；以及
(c)表面保護膜，第二開口在所述焊盤之上形成于所述表面保護膜中，并且所述表面保護膜形成于所述焊盤和所述第一絕緣膜之上，
其中所述焊盤具有：
(a1)第一傳導膜；以及
(a2)防反射膜，形成于所述第一傳導膜之上，
其中在所述第一開口的內區域中包括所述第二開口，
其中在所述第一開口的所述內區域中去除所述防反射膜，
其中所述第一絕緣膜和所述表面保護膜是通過等離子體CVD方法形成的膜，并且
其中通過使用密度比在形成所述表面保護膜時的等離子體密度更高的等離子體來形成所述第一絕緣膜。
11.根據權利要求10所述的半導體器件，
其中所述第一絕緣膜是所述第一絕緣膜和所述表面保護膜之中覆蓋性質最優的膜。
12.根據權利要求10所述的半導體器件，
其中所述第一絕緣膜和所述表面保護膜的總膜厚度大于所述第一傳導膜的膜厚度。
13.根據權利要求10所述的半導體器件，還包括在包括所述第二開口的內部的所述表面保護膜之上形成的樹脂構件，
其中所述樹脂構件包括無鹵素的構件。
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