[發明專利]進行高速緩存讀取的方法和器件

有效

• 申請號: 201010167375.9
• 申請日: 2005-03-29
• 公開（公告）號: CN101819813A
• 公開（公告）日: 2010-09-01
• 發明（設計）人: 李真燁;黃相元
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C11/409
• 分類號: G11C11/409;G11C11/419;G11C16/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種半導體器件中的讀取方法，包括：

以第一存儲器單元中的數據來設定位線；和

將所述位線上的所述數據存儲于寄存器中，其中所述寄存器中的數據在 以第二存儲器單元中的數據來設定所述位線的同時，被傳送至數據總線，

其中所述以第二存儲器單元中的數據來設定所述位線包括：

初始化所述位線；

以預充電電壓對所述位線預充電；和

在所述位線上反映所述第二存儲器單元中的數據。

2.根據權利要求1所述的讀取方法，進一步包括在設定后和在存儲前對 所述寄存器進行初始化。

3.根據權利要求2所述的讀取方法，其中所述寄存器是通過將所述寄存 器經開關電路電氣連接至所述數據總線而初始化的。

4.根據權利要求1所述的讀取方法，其中初始化所述位線是保持著所述 寄存器的狀態而執行的。

5.根據權利要求1所述的讀取方法，其中所述第一存儲器單元和第二存 儲器單元包括閃存單元。

6.根據權利要求1所述的讀取方法，其中所述寄存器包括至少一個鎖存 器，其配置為與所述位線連接并存儲所述位線上的數據。

7.一種半導體器件中的讀取方法，包括：

初始化第一存儲器單元的位線；

以預充電電壓來給所述位線預充電；

反映所述位線上的第一存儲器單元中的數據；

初始化對應于所述位線的寄存器；和

將所述位線上的數據存儲于所述寄存器中，其中在執行所述初始化，預 充電，反映以便以第二存儲器單元中的數據來設定所述位線的同時，將所述 寄存器中的所述數據向外輸出。

8.根據權利要求7所述的讀取方法，其中所述寄存器是通過將所述寄存 器經開關電路電氣連接至數據線而初始化的。

9.根據權利要求7所述的讀取方法，其中初始化所述位線是保持著所述 寄存器的狀態而做出的。

10.根據權利要求7所述的讀取方法，其中所述寄存器包括至少一個鎖 存器，其配置為與所述位線連接并存儲所述位線上的數據。