[發(fā)明專利]電容器電極、電容器及其生產(chǎn)方法、電子電路及電子儀器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010166871.2 | 申請(qǐng)日: | 2002-05-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101866754A | 公開(公告)日: | 2010-10-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 大森和弘;內(nèi)藤一美;川崎俊哉;和田紘一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昭和電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01G9/042 | 分類號(hào): | H01G9/042;H01G9/052 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 段承恩;劉瑞東 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電容器 電極 及其 生產(chǎn) 方法 電子電路 電子儀器 | ||
1.一種包括鈮燒結(jié)體的電容器電極,其中,鈮燒結(jié)體的孔徑分布具有多個(gè)孔徑峰值。
2.權(quán)利要求1中所述的電容器電極,其中,所述孔徑分布具有兩個(gè)孔徑峰值。
3.權(quán)利要求1中所述的電容器電極,其中,在多個(gè)孔徑峰值中,具有最高相對(duì)強(qiáng)度的峰的峰值存在于比具有次最高相對(duì)強(qiáng)度的峰的峰值更大直徑的一側(cè)。
4.權(quán)利要求1中所述的電容器電極,其中,所述燒結(jié)體的體積為10mm3或更大,包括孔隙的體積。
5.權(quán)利要求1中所述的電容器電極,其中,所述燒結(jié)體的比表面積為0.2~7m2/g。
6.權(quán)利要求1中所述的電容器電極,其中,一部分燒結(jié)體被氮化了。
7.權(quán)利要求1中所述的電容器電極,其中,所述燒結(jié)體是由一種鈮成形體獲得的燒結(jié)體,所述鈮成形體產(chǎn)生一種在1300℃燒結(jié)時(shí)CV值為40,000~200,000μFV/g的燒結(jié)體。
8.一種電容器,包含使用權(quán)利要求1~7的任一項(xiàng)中所述的電容器電極的一個(gè)電極、一個(gè)對(duì)電極和介于其間的介電材料。
9.權(quán)利要求8中所述的電容器,其中,所述介電材料主要包含氧化鈮。
10.權(quán)利要求8中所述的電容器,其中,對(duì)電極是至少一種選自電解質(zhì)溶液、有機(jī)半導(dǎo)體和無機(jī)半導(dǎo)體的材料。
11.權(quán)利要求10中所述的電容器,其中,對(duì)電極是有機(jī)半導(dǎo)體,并且有機(jī)半導(dǎo)體是選自包含苯并吡咯啉四聚物和氯醌的有機(jī)半導(dǎo)體、主要包含四硫代并四苯的有機(jī)半導(dǎo)體、主要包含四氰基醌二甲烷的有機(jī)半導(dǎo)體和導(dǎo)電性聚合物的至少一種材料。
12.權(quán)利要求11中所述的電容器,其中,導(dǎo)電性聚合物是至少一種選自聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺及其取代衍生物的成分。
13.權(quán)利要求11中所述的電容器,其中,導(dǎo)電性聚合物是通過向含有下式(1)或(2)表示的重復(fù)單元的聚合物中摻入摻雜劑獲得的導(dǎo)電性聚合物:
其中,R1~R4各自獨(dú)立地表示選自氫原子、含有1~10個(gè)碳原子的直鏈或支鏈的飽和或不飽和烷基、烷氧基或烷基酯基基團(tuán)、鹵素原子、硝基、氰基、伯、仲或叔氨基、CF3基團(tuán)、苯基和取代的苯基的一價(jià)基團(tuán);每一對(duì)R1和R2、R3和R4可以在任意位置結(jié)合形成二價(jià)鏈,用于與被R1和R2或被R3和R4取代的碳原子一起形成至少一個(gè)3-、4-、5-、6-或7-元飽和或不飽和烴環(huán)結(jié)構(gòu);環(huán)狀結(jié)合的鏈任選在任意位置含有羰基、醚、酯、酰胺、硫醚、亞硫酰基、磺酰基或亞氨基;X表示氧原子、硫原子或氮原子;R5僅當(dāng)X是氮原子時(shí)才存在,并且獨(dú)立地表示氫原子或者含有1~10個(gè)碳原子的直鏈或支鏈的、飽和或不飽和烷基。
14.權(quán)利要求13中所述的電容器,其中,導(dǎo)電性聚合物是含有由下式(3)表示的重復(fù)單元的導(dǎo)電性聚合物:
其中,R6和R7各自獨(dú)立地表示氫原子、含有1~6個(gè)碳原子的直鏈或支鏈的飽和或不飽和烷基,或者一個(gè)取代基,用于形成由在任意位置相互結(jié)合的烷基獲得的含有兩個(gè)氧原子的至少一個(gè)5-、6-或7-元飽和烴環(huán)結(jié)構(gòu);且環(huán)狀結(jié)構(gòu)包括具有可以被取代的亞乙烯基鍵、可以被取代的亞苯基結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。
15.權(quán)利要求11中所述的電容器,其中,導(dǎo)電性聚合物是通過向聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)中摻入摻雜劑獲得的導(dǎo)電性聚合物。
16.權(quán)利要求8中所述的電容器,其中,對(duì)電極由至少部分具有層狀結(jié)構(gòu)的材料制成。
17.權(quán)利要求8中所述的電容器,其中,對(duì)電極的材料含有有機(jī)磺酸根陰離子作為摻雜劑。
18.一種生產(chǎn)電容器的方法,所述電容器包含使用鈮燒結(jié)體的一個(gè)電極、在所述燒結(jié)體表面上形成的介電材料和在所述介電材料上提供的一個(gè)對(duì)電極,其中,所述鈮燒結(jié)體是在權(quán)利要求1~7的任一項(xiàng)中所述的電容器電極所包括的鈮燒結(jié)體。
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