[發明專利]硅單晶的生長方法有效
| 申請號： | 201010166765.4 | 申請日： | 2005-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN101831696A | 公開（公告）日： | 2010-09-15 |
| 發明（設計）人： | 趙鉉鼎 | 申請（專利權）人： | 希特隆股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人： | 禇海英;武玉琴 |
| 地址： | 韓國慶*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅單晶 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種單晶生長方法，是通過切克勞斯基單晶生長法使硅單晶生長的方法，其特征在于，把裝有熔體的坩堝的旋轉速度作為Vc，所述硅單晶的旋轉速度作為Vs時，用滿足下述表達式的條件生長：
3≤Ln[Vs/Vc]≤5。
2.如權利要求1所述的硅單晶生長方法，其特征在于，在對所述硅熔體施加磁場的狀態下使所述硅單晶生長。
3.如權利要求2所述的硅單晶生長方法，其特征在于，所述磁場是相對于所述單晶的長度方向施加的垂直方向或水平方向的磁場，或者是施加的尖端(CUSP)形態的磁場。
4.如權利要求1所述的硅單晶生長方法，其特征在于，
在所述硅熔體的側面設置加熱器，
在相對于所述硅熔體的整體深度、距所述熔體表面1/5處至2/3處所對應的部分，加熱器的發熱量比周邊增加，在這種狀態下，使所述硅單晶生長。
5.如權利要求2所述的硅單晶生長方法，其特征在于，
在所述硅熔體的側面設置加熱器，
在相對于所述硅熔體的整體深度、距所述熔體表面1/5處至2/3處所對應的部分，加熱器的發熱量比周邊增加，在這種狀態下，使所述硅單晶生長。
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