[發明專利]硅單晶的生長裝置有效
| 申請號： | 201010166761.6 | 申請日： | 2005-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN101831695A | 公開（公告）日： | 2010-09-15 |
| 發明（設計）人： | 趙鉉鼎 | 申請（專利權）人： | 希特隆股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人： | 禇海英;武玉琴 |
| 地址： | 韓國慶*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅單晶 生長 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅單晶的生長裝置，是用切克勞斯基單晶生長法使硅單晶生長的裝置，其特征在于，包括：
室；
坩堝，設置在所述室的內部，盛硅熔體；
加熱器，設置在所述坩堝的側面加熱所述硅熔體，相對于所述硅熔體的整體深度距所述熔體的表面1/5處至2/3處所對應的部分，發熱量比周邊增加；
拉拔機構，從所述硅熔體中拉拔生長的硅單晶。
2.如權利要求1所述的硅單晶的生長裝置，其特征在于，還包括：設置在所述坩堝側面，對所述硅熔體施加磁場的磁鐵。
3.如權利要求2所述的硅單晶的生長裝置，其特征在于，所述磁鐵施加的磁場，促進從與所述加熱器最接近的部分向所述單晶的中心的熔體對流。
4.如權利要求1所述的硅單晶的生長裝置，其特征在于，在相對于所述硅熔體的整體深度距所述熔體表面1/3處至1/2處所對應的部分，加熱器的發熱量比周邊增加。
5.如權利要求1所述的硅單晶的生長裝置，其特征在于，還包括：熱屏蔽，設置在所述硅單晶結晶塊和所述坩堝之間，包圍著硅單晶結晶塊，遮斷由所述結晶塊輻射的熱量。
6.如權利要求5所述的硅單晶的生長裝置，其特征在于，還包括：在所述熱屏蔽中附著在與所述硅單晶結晶塊最接近部分，包圍著所述硅單晶結晶塊的圓筒形熱屏蔽部分。
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