[發明專利]形成包括屏蔽區的形狀陣列的圖形的方法

有效

• 申請號: 201010166680.6
• 申請日: 2010-04-27
• 公開（公告）號: CN101876793A
• 公開（公告）日: 2010-11-03
• 發明（設計）人: C-C·陳;黃武松;李偉健;C·薩爾瑪
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司;英芬能技術公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 于靜;楊曉光

1.一種形成構圖的結構的方法，包括以下步驟：

在襯底上形成從底部到頂部為第二光致抗蝕劑層和第一光致抗蝕劑層的疊層；

通過使第一曝光波長照射通過具有第一圖形的第一掩模來光刻曝光所述第一光致抗蝕劑層，其中所述第一光致抗蝕劑層的至少一個光刻曝光的第一光致抗蝕劑部分變為對第二曝光波長光學透明；以及

通過使所述第二曝光波長照射通過具有第二圖形的第二掩模來光刻曝光所述第二光致抗蝕劑層，其中在所述第二光致抗蝕劑層的至少一個光刻曝光的第二光致抗蝕劑部分中形成合成圖形，其中所述第二合成圖形與僅僅限制在所述至少一個光刻曝光的第一光致抗蝕劑部分的區域內的所述第二圖形相同。

2.根據權利要求1的方法，其中所述第一光致抗蝕劑層的至少一個未光刻曝光的第一抗蝕劑部分在所述第一曝光波長的所述照射之后保持對所述第二曝光波長光學不透明。

3.根據權利要求1的方法，其中在通過所述第二曝光波長的照射來光刻曝光所述第二光致抗蝕劑層期間，所述至少一個光刻曝光的第一光致抗蝕劑部分保留在所述第二光致抗蝕劑層上。

4.根據權利要求1的方法，其中所述至少一個光刻曝光的第二光致抗蝕劑部分僅僅形成在所述至少一個光刻曝光的第一抗蝕劑部分之下，而不形成在至少一個未光刻曝光的第一抗蝕劑部分之下。

5.根據權利要求4的方法，其中在通過所述第二曝光波長的照射來光刻曝光所述第二光致抗蝕劑層期間，所述至少一個光刻曝光的第一光致抗蝕劑部分和所述至少一個未光刻曝光的第一光致抗蝕劑部分保留在所述第二光致抗蝕劑層上。

6.根據權利要求4的方法，還包括：

從所述第二光致抗蝕劑層之上去除所有的所述第一光致抗蝕劑層；

相對于所述第二光致抗蝕劑層的至少一個未光刻曝光的第二光致抗蝕劑部分選擇性地去除所述至少一個光刻曝光的第二光致抗蝕劑部分；以及

采用所述至少一個未光刻曝光的第二光致抗蝕劑部分作為蝕刻掩模，將所述合成圖形轉移到下伏的層中。

7.根據權利要求4的方法，還包括：

相對于所述至少一個未光刻曝光的第一光致抗蝕劑部分選擇性地去除所述至少一個光刻曝光的第一光致抗蝕劑部分；

相對于所述第二光致抗蝕劑層的所述至少一個未光刻曝光的第二光致抗蝕劑部分選擇性地去除所述至少一個光刻曝光的第二光致抗蝕劑部分；以及

采用所述至少一個未光刻曝光的第二光致抗蝕劑部分和所述至少一個未光刻曝光的第一光致抗蝕劑部分作為蝕刻掩模，將所述合成圖形轉移到下伏的層中。

8.根據權利要求1的方法，其中所述第二圖形包括過孔形狀的陣列。

9.根據權利要求1的方法，其中所述第二圖形包括線路形狀的陣列。

10.根據權利要求1的方法，其中所述第二曝光波長與所述第一曝光波長相同。

11.根據權利要求1的方法，其中所述第一光致抗蝕劑層包括灰抗蝕劑。

12.根據權利要求11的方法，其中所述灰抗蝕劑包括具有吸收部分的抗蝕劑聚合物。

13.根據權利要求12的方法，其中所述灰抗蝕劑的所述抗蝕劑聚合物的所述吸收部分包括吸收所述第一曝光波長的輻射的至少一種化學部分。

14.一種構圖的結構，包括位于襯底上的從底部到頂部的第二光致抗蝕劑層和第一光致抗蝕劑層的疊層，其中所述第一光致抗蝕劑層包括互補地填充整個所述第一光致抗蝕劑層的至少一個光刻曝光的第一光致抗蝕劑部分和至少一個未光刻曝光的第一光致抗蝕劑部分，其中所述第二光致抗蝕劑層包括互補地填充整個所述第二光致抗蝕劑層的至少一個光刻曝光的第二光致抗蝕劑部分和至少一個未光刻曝光的第二光致抗蝕劑部分，其中所述至少一個光刻曝光的第二光致抗蝕劑部分僅僅存在于所述至少一個光刻曝光的第一光致抗蝕劑部分之下而不存在于所述至少一個未光刻曝光的第一光致抗蝕劑部分之下。

15.根據權利要求14的構圖的結構，其中所述第一光致抗蝕劑層包括灰抗蝕劑。

16.根據權利要求15的構圖的結構，其中所述灰抗蝕劑包括具有吸收部分的抗蝕劑聚合物。

17.根據權利要求16的構圖的結構，其中所述灰抗蝕劑的所述抗蝕劑聚合物的所述吸收部分包括吸收所述第一曝光波長的輻射的至少一種化學部分。