[發明專利]半導體器件和半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201010166124.9
• 申請日: 2010-04-23
• 公開（公告）號: CN101901798A
• 公開（公告）日: 2010-12-01
• 發明（設計）人: 富士原明
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種半導體器件，包括：

半導體基板；

第一布線，所述第一布線被形成在所述半導體基板上；

第二布線，所述第二布線被形成為與所述第一布線交叉并且在所述第一布線和所述第二布線相互交叉的交叉部分處在其間插有間隔；

保護膜，所述保護膜被形成在所述半導體基板上以覆蓋所述第一布線的至少一部分，所述部分位于所述交叉部分中的所述第二布線的下方；以及

絕緣膜，所述絕緣膜以島狀被形成在所述交叉部分中的第二布線的下方的保護膜上，以位于所述保護膜的邊緣之間并且覆蓋所述交叉部分中的第一布線。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述絕緣膜由通過旋涂工藝或者印制工藝形成的材料形成。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述絕緣膜以均勻的厚度形成在所述第一布線的上表面和側表面上。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述絕緣膜的邊緣位于所述第一布線的邊緣的外部。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述絕緣膜比所述保護膜厚。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述絕緣膜具有等于或者大于0.5μm的厚度。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述保護膜具有等于或者小于0.2μm的厚度。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述交叉部分中所述第一布線和所述第二布線之間的距離等于或者大于1.0μm。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一布線和所述第二布線中的一個是柵電極并且另一個是源電極。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一布線和所述第二布線中的一個是漏電極并且另一個是源電極。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述絕緣膜具有3.5或者更小的相對介電常數。

12.一種半導體器件的制造方法，包括：

在半導體基板上形成第一布線；

形成第二布線以與所述第一布線交叉并且在所述第一布線和所述第二布線相互交叉的交叉部分處在其間插有間隔；

在所述半導體基板上形成保護膜以覆蓋所述第一布線的至少一部分，所述部分位于所述交叉部分中的第二布線的下方；以及

在所述交叉部分中的第二布線的下方的保護膜上以島狀形成絕緣膜以位于所述保護膜的邊緣之間并且覆蓋所述交叉部分中的第一布線。

13.根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中通過旋涂工藝或者印制工藝來執行形成所述絕緣膜。

14.根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中通過曝光和顯影具有感光性的絕緣材料來執行所述形成所述絕緣膜。

15.根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中所述絕緣膜的邊緣位于所述第一布線的邊緣的外部。

16.根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中所述絕緣膜比所述保護膜厚。

17.根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中所述絕緣膜具有等于或者大于0.5μm的厚度。

18.根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中所述保護膜具有等于或者小于0.2μm的厚度。

19.根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中所述交叉部分中所述第一布線和所述第二布線之間的距離等于或者大于1.0μm。

20.根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中所述第一布線和所述第二布線中的一個是柵電極并且另一個是源電極。

21.根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中所述第一布線和所述第二布線中的一個是漏電極并且另一個是源電極。

22.根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中所述絕緣膜具有3.5或者更小的相對介電常數。