[發明專利]直拉硅單晶爐裝置及硅單晶拉制方法有效
| 申請號： | 201010166018.0 | 申請日： | 2010-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN102234836A | 公開（公告）日： | 2011-11-09 |
| 發明（設計）人： | 周儉 | 申請（專利權）人： | 內蒙古晟納吉光伏材料有限公司;周儉 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京元中知識產權代理有限責任公司 11223 | 代理人： | 王明霞 |
| 地址： | 010080 內蒙古自治*** | 國省代碼： | 內蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 直拉硅單晶爐 裝置 硅單晶 拉制 方法 | ||
1.一種直拉硅單晶爐裝置，其包括副室(1)、爐腔(16)、熱屏支撐板(6)、熱屏(7)、保溫層(15)、石英坩堝(10)、石墨坩堝(11)、加熱器(13)，其特征在于，在爐腔(16)中硅熔體(14)的上方設置一個兩端開口的罩體(5)，所述罩體(5)沿著單晶硅生長的方向、且罩體(5)的開口正對著單晶硅的方向設置，罩體(5)與硅熔體(14)液面接近的一端與硅熔體(14)液面具有一間距。
2.根據權利要求1所述的直拉硅單晶爐裝置，其特征在于，所述罩體(5)與爐腔(16)或/和副室(1)相連接。
3.根據權利要求2所述的直拉硅單晶爐裝置，其特征在于，所述罩體(5)的上端與爐腔(16)或副室(1)相連接。
4.根據權利要求2或3所述的直拉硅單晶爐裝置，其特征在于，所述罩體(5)的上端與副室(1)相連接。
5.根據權利要求1-4任一項所述的直拉硅單晶爐裝置，其特征在于，所述罩體(5)與硅熔體(14)液面接近的一端與硅熔體(14)液面的距離為大于0、且小于100mm。
6.根據權利要求1所述的直拉硅單晶爐裝置，其特征在于，所述的罩體(5)的形狀為長筒形。
7.根據權利要求6所述的直拉硅單晶爐裝置，其特征在于，所述的長筒形的罩體(5)的橫截面為棱形、圓柱形或橢圓的柱體。
8.根據權利要求1所述的直拉硅單晶爐裝置，其特征在于，所述的罩體(5)是由一段、或兩段以上的罩體組合而成。
9.一種直拉硅單晶的方法，包括以下步驟：在惰性氣體環境下熔融硅晶體、單晶硅生長，其特征在于，在單晶硅生長過程中，在爐腔(16)中惰性氣體的流向是逆著單晶硅(9)的生長方向圍繞著單晶硅(9)形成氣柱，然后惰性氣體從距硅熔體(14)較近的罩體(5)底端流向爐腔(16)，最終經排氣口(12)排出。
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