[發明專利]表面官能團化二氧化硅水溶性改性量子點及其制備方法無效
| 申請號： | 201010165656.0 | 申請日： | 2010-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN101805613A | 公開（公告）日： | 2010-08-18 |
| 發明（設計）人： | 常津;崔葉;張琦;宮曉群;成靖;楊秋花;朱盛疆;郭偉圣 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | C09K11/88 | 分類號： | C09K11/88 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人： | 王麗 |
| 地址： | 300072 天*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 表面 官能團 二氧化硅 水溶性 改性 量子 及其 制備 方法 | ||
1.表面官能團化二氧化硅水溶性改性量子點，其特征在于：所述量子點納米顆粒的結構由內向外可以分為四部分，第一部分為CdSe核量子點；第二部分為和表面包覆的CdS/[CdxZn1-xS]y-1/ZnSy結構的過渡殼層結構；第三部分為量子點表面包覆的二氧化硅層；第四部分為二氧化硅層表面由功能化硅烷形成的官能團化二氧化硅層；其中：中間層CdxZn1-xS中，x取值為大于0且小于1；并且隨著殼層y增加，x值以遞減。
2.根據權利要求1所述表面官能團化二氧化硅水溶性改性量子點，其特征在于所述量子點的殼層y為3～15。
3.根據權利要求1所述表面官能團化二氧化硅水溶性改性量子點，其特征在于所述量子點殼層y為5、7或9；所述x取值為0.75、0.5或0.25。
4.根據權利要求1所述表面官能團化二氧化硅水溶性改性量子點，其特征在于所述二氧化硅水溶性改性后核殼結構量子點的粒徑為10～50nm，發射波長500～750nm，半峰寬20～60nm，量子產率0.4～0.9。
5.權利要求1的表面官能團化二氧化硅水溶性改性量子點制備方法，其特征在于包括以下四步，(1)制備CdSe核量子點；(2)通過控制前體溶液配比使合金層以逐步過渡形式對CdSe核量子點進行多層包殼，制得CdSe/CdS1/[CdxZn1-xS]y-1/ZnSy結構的核殼結構量子點；(3)取CdSe/CdS1/[CdxZn1-xS]y-1/ZnSy結構的核殼結構量子點進行二氧化硅水溶性改性；(4)向二氧化硅改性反應體系中加入不同的功能化硅烷進行表面官能團。
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