[發明專利]藍寶石基新型倒裝結構及其用途

有效

• 申請號: 201010165583.5
• 申請日: 2010-05-07
• 公開（公告）號: CN101859863A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 王敏銳;蔡勇;張寶順;楊輝
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01S5/343
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 陳忠輝

1.藍寶石基新型倒裝結構，其特征在于：包括n電極導電轉移基板、藍寶石基光電器件基礎芯片、引線及絕緣填充材料，其中用于與藍寶石基光電器件基礎芯片的n電極及電源分別相連的電極引線壓焊區位于n電極導電轉移基板高度方向上的兩側。

2.根據權利要求1所述的藍寶石基新型倒裝結構，其特征在于：所述n電極導電轉移基板包括：第一引線壓焊區、第二引線壓焊區、導電轉移基板基體、通光孔、引線壓焊區間互連、引線、通光孔及電隔絕填充材料，其中所述第一引線壓焊區與n電極同側，而所述第二引線壓焊區設于n電極導電轉移基板背向n電極方向的另一側，所述n電極通過引線、第一引線壓焊區、引線壓焊區間互連引至第二引線壓焊區。

3.根據權利要求2所述的藍寶石基新型倒裝結構，其特征在于：所述基礎芯片的n電極與n電極導電轉移基板的第一引線壓焊區之間通過壓焊鍵合的引線相連，所述引線包括金線、鋁線、銅線、銀線、鉑金線、鈀合金線或以上幾種材料的復合材料。

4.根據權利要求2所述的藍寶石基新型倒裝結構，其特征在于：所述引線壓焊區間互連包括貫通電極轉移基板通孔里的金屬互連及導電的n電極導電轉移基板材料。

5.根據權利要求1所述的藍寶石基新型倒裝結構，其特征在于：所述藍寶石基光電器件基礎芯片包括藍寶石襯底及自藍寶石襯底一側逐層覆蓋的GaN緩沖層、n型GaN層、量子阱發光區、p型GaN層和帽層，所述量子阱發光區及p型GaN層的面積小于n型GaN層，相對藍寶石襯底同側的p電極和n電極分別設于p型GaN層及n型GaN層。

6.根據權利要求5所述的藍寶石基新型倒裝結構，其特征在于：所述p電極設有加厚層壓焊區，且所述p電極加厚層壓焊區與第二引線壓焊區分布在n電極導電轉移基板兩側，分別與電源相連。

7.權利要求1所述的藍寶石基新型倒裝結構的用途，其特征在于：所述倒裝結構適用于倒裝型發光二極管或激光器。