[發明專利]一種表面貼裝型功率LED支架制造方法及其產品

有效

• 申請號: 201010165442.3
• 申請日: 2010-05-07
• 公開（公告）號: CN102237481A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 余彬海;夏勛力;李偉平;李程;梁麗芳
• 申請（專利權）人: 佛山市國星光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 北京金知睿知識產權代理事務所(普通合伙) 11379
• 代理人: 林俐;馬立榮

1.一種表面貼裝型功率LED支架的制造方法，其特征在于：所述方法由下述步驟組成：

步驟1)：準備一由銅層和承載該銅層的普通PCB絕緣基板組成的覆銅PCB單面板，所述覆銅PCB單面板的玻璃轉化溫度Tg介于140～165℃C、熱裂解溫度Td不低于300℃；

步驟2)：通過機械工藝或者激光工藝形成至少一個貫穿所述覆銅PCB單面板的通孔；

步驟3)：通過粘合材料將一金屬片覆蓋在所述覆銅PCB單面板的下表面，且密封所述通孔的底部；

步驟4)：通過在所述覆銅PCB單面板的銅層上形成線路層一、在所述覆銅PCB單面板的下表面所述金屬片上形成線路層二，以構成LED支架；

步驟5)：切割所述LED支架，分離出獨立的LED支架單元。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：在步驟1)中，所述覆銅PCB單面板在當溫度小于玻璃轉化溫度Tg時，Z軸的熱膨脹系數CTE不超過60PPM/℃；當溫度大于玻璃轉化溫度Tg時，Z軸的熱膨脹系數CTE不超過300PPM/℃；當溫度從50℃變化至260℃時，Z軸的熱膨脹系數CTE不超過1.7×10^-4/℃。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：在步驟1)中：所述覆銅PCB單面板的分層時間是T288不少于4分鐘，T260不少于30分鐘。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：在步驟1)中，所述覆銅PCB單面板的玻璃轉化溫度Tg為150～160℃，熱裂解溫度Td為310～330℃。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：在步驟1)中，所述絕緣基板材料為玻纖布環氧樹脂。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：在步驟2)中，所述通過機械工藝或者激光工藝形成通孔的形狀是直孔或者杯狀通孔，在所述通孔內設置金屬反射層。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于：在實施步驟3)前，在所述通孔內壁鍍銅或者涂敷銀。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于：在步驟2)中，所述通過機械工藝或者激光工藝形成的通孔為M行×N列貫穿該覆銅PCB單面板的通孔陣列。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于：在步驟3)中，所述金屬片的厚度大于所述覆銅PCB單面板上銅箔的厚度。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于：在步驟3)中，所述金屬片的為銅板，所述銅板的厚度是覆銅PCB單面板銅箔厚度的2～6倍

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于：所述銅板厚度為0.1～0.3mm。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于：在所述步驟4)中，包括形成正負電極的步驟，具體包括：a)通過機械工藝或者激光工藝在所述通孔兩側分別形成至少一個貫穿覆銅PCB單面板與金屬層的小通孔；b)通過金屬化處理在所述小通孔的內壁形成與所述線路層一和線路層二電性連接的金屬層。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于：所述小通孔內的金屬層的材料為銅。

14.如權利要求1所述的方法，其特征在于：在所述步驟4)中，包括形成正負電極的步驟，具體包括：a)通過機械工藝或者激光工藝在所述通孔兩側分別形成至少一個貫穿覆銅PCB單面板與金屬片的小通孔；b)往所述通孔內部填充與線路層一和線路層二電性連接的導電材料。

15.如權利要求14所述的方法，其特征在于：所述導電材料為銀漿。

16.如權利要求1所述的方法，其特征在于：在步驟4)中，形成所述線路層一和所述線路層二的方法是腐蝕工藝。

17.如權利要求12、14或16所述的方法，其特征在于：形成的所述的線路層一包括圍繞所述通孔的引線連接部和電性連接所述引線連接部的正負電極層一；所述正負電極層一電性連接小通孔內壁的金屬層或者小通孔內部的導電材料；所述線路層二包括密封所述通孔底部的芯片安放部以及與所述芯片安放部電性絕緣的正負電極層二，所述正負電極層二電性連接小通孔內壁的金屬層或者小通孔內部的導電材料。