[發明專利]共享字線的無觸點SONOS分柵式閃存

有效

• 申請號: 201010164900.1
• 申請日: 2010-04-29
• 公開（公告）號: CN101814510A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 曹子貴
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/41
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種共享字線的無觸點SONOS分柵式閃存，其特征在于，包括：

半導體襯底，其上具有間隔設置的源極區域和漏極區域；

溝道區，位于所述源極區域和漏極區域之間；

第一位線和第二位線，分別直接連接于所述源極區域和漏極區域；

第一浮柵，設置于所述溝道區和源極區域上方；

第二浮柵，設置于所述溝道區和漏極區域上方，所述第一浮柵和第二浮柵分別構成第一存儲位單元和第二存儲位單元；

字線，包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述溝道區上方并位于所述第一浮柵和第二浮柵之間，所述第二部分連接于所述第一部分頂部，并位于所述第一浮柵和第二浮柵上方，所述第二部分頂部延伸至所述第一位線和第二位線上方，并通過絕緣層與所述第一位線和第二位線頂部相隔離，

其中，所述第一浮柵和第二浮柵為氮化硅浮柵。

2.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點SONOS分柵式閃存，其特征在于，分別對所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加第一存儲位單元讀取電壓，實現第一存儲位單元讀取。

3.根據權利要求2所述的共享字線的無觸點SONOS分柵式閃存，其特征在于，對所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加的第一存儲位單元讀取電壓分別為2.5V、0V和1.5V，實現第一存儲位單元讀取。

4.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點SONOS分柵式閃存，其特征在于，分別對所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加第二存儲位單元讀取電壓，實現第二存儲位單元讀取。

5.根據權利要求4所述的共享字線的無觸點SONOS分柵式閃存，其特征在于，對所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加的第二存儲位單元讀取電壓分別為2.5V、1.5?V和0V，實現第二存儲位單元讀取。

6.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點SONOS分柵式閃存，其特征在于，分別對所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加第一存儲位單元編程電壓，實現第一存儲位單元編程。

7.根據權利要求6所述的共享字線的無觸點SONOS分柵式閃存，其特征在于，對所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加的第一存儲位單元編程電壓分別為4V、7.5V和0V，實現第一存儲位單元編程。

8.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點SONOS分柵式閃存，其特征在于，分別對所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加第二存儲位單元編程電壓，實現第二存儲位單元編程。

9.根據權利要求8所述的共享字線的無觸點SONOS分柵式閃存，其特征在于，對所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加的第二存儲位單元編程電壓分別為4V、0V和7.5V，實現第二存儲位單元編程。

10.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點SONOS分柵式閃存，其特征在于，分別對所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加存儲位單元擦除電壓，實現第一存儲位單元和第二存儲位單元擦除。

11.根據權利要求10所述的共享字線的無觸點SONOS分柵式閃存，其特征在于，對所述字線、所述第一位線和所述第二位線施加的存儲位單元擦除電壓分別為0V、11V和11V，實現第一存儲位單元和第二存儲位單元擦除。