[發明專利]SiGe異質結雙極型晶體管及其制備方法

無效

• 申請號: 201010164875.7
• 申請日: 2010-04-29
• 公開（公告）號: CN101819994A
• 公開（公告）日: 2010-09-01
• 發明（設計）人: 孫濤
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331;H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種SiGe異質結雙極型晶體管，包括：

襯底；

在襯底上生長的集電區；

形成在集電區內的淺溝槽隔離；

在集電區上外延生長的SiGe層；

形成在SiGe層上的基極；

形成在SiGe層上的發射區；

形成在發射區上的發射極；

以及形成在集電區上的集電極；其中，所述集電區進一步包括在襯底上形成的抗穿通層和在所述抗穿通層上形成的n型埋層。

2.根據權利要求1所述的SiGe異質結雙極型晶體管，其特征在于，所述抗穿通層是p型袋域布植的抗穿通層。

3.根據權利要求1所述的SiGe異質結雙極型晶體管，其特征在于，所述淺隔離溝槽采用絕緣物介質填充。

4.根據權利要求1所述的SiGe異質結雙極型晶體管，其特征在于，所述絕緣物介質為二氧化硅、氮化硅和多晶硅。

5.根據權利要求1所述的SiGe異質結雙極型晶體管，其特征在于，形成在襯底上的抗穿通層是采用離子布植的方式。

6.根據權利要求5所述的SiGe異質結雙極型晶體管，其特征在于，所述的離子布植的方式為傾斜角度的離子布植方式。

7.根據權利要求5所述的SiGe異質結雙極型晶體管，其特征在于，所述的離子布植的方式為角度旋轉的離子布植方式。

8.一種制備如權利要求1所述的SiGe異質結雙極型晶體管的制備方法，包括：

提供襯底；

淺溝槽隔離的制備；

抗穿通層的制備；

n型埋層的制備；

SiGe層的外延生長；

集電極、基極、發射極的制備。

9.根據權利要求8所述的SiGe異質結雙極型晶體管的制備方法，其特征在于，所述SiGe異質結雙極型晶體管的制備方法進一步包括在集電極下方的區域進行n型重摻雜離子注入。

10.根據權利要求8所述的SiGe異質結雙極型晶體管的制備方法，其特征在于，襯底為p型襯底。