[發明專利]反射型TFT液晶顯示器及其制造方法

無效

• 申請號: 201010164779.2
• 申請日: 2010-04-30
• 公開（公告）號: CN101866075A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: 林鋼;呂岳敏;吳永俊;沈奕;余榮;劉驥;丁娟
• 申請（專利權）人: 汕頭超聲顯示器(二廠)有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G02F1/1333
• 代理公司: 汕頭市潮睿專利事務有限公司 44230
• 代理人: 丁德軒

1.一種反射型TFT液晶顯示器，包括下基板、驅動部件層、液晶層和上基板，驅動部件層設置在下基板的上表面，液晶層設置在驅動部件層與上基板之間，液晶層與驅動部件層之間具有一個反射面，其特征是：還包括吸光層，吸光層設置在驅動部件層與反射面之間。

2.如權利要求1所述的反射型TFT液晶顯示器，其特征是：還包括像素電極層、下定向層、上定向層、公共電極層和偏振片，下基板、驅動部件層、吸光層、像素電極層、下定向層、液晶層、上定向層、公共電極層、上基板和偏振片依序疊合設置，像素電極層的上表面構成反射面。

3.如權利要求2所述的反射型TFT液晶顯示器，其特征是：所述吸光層的表面呈凹凸不平的形狀，處于吸光層之上的像素電極層相應呈凹凸不平的形狀。

4.如權利要求1所述的反射型TFT液晶顯示器，其特征：還包括反射層、光學介質層、像素電極層、下定向層、上定向層、公共電極層和偏振片，下基板、驅動部件層、吸光層、反射層、光學介質層、像素電極層、下定向層、液晶層、上定向層、公共電極層、上基板和偏振片依序疊合設置，像素電極層覆蓋反射層，反射層的上表面構成反射面。

5.如權利要求4所述的反射型TFT液晶顯示器，其特征：所述吸光層的表面呈凹凸不平的形狀，處于吸光層上表面的反射層相應呈凹凸不平的形狀。

6.如權利要求4或5所述的反射型TFT液晶顯示器，其特征：所述光學介質層為具有彩色濾光作用的彩色濾光層，彩色濾光層覆蓋反射層。

7.一種反射型TFT液晶顯示器的制造方法，其特征是包括如下步驟：

步驟一、在下基板上設置驅動部件層；

步驟二、采用黑色感光樹脂在驅動部件層的上面旋涂形成吸光層，并通過曝光顯影工藝進行曝光顯影，在漏極延伸部分所在位置的吸光層形成過孔；

步驟三、在吸光層的上面，采用濺射法沉積像素電極層，并采用掩膜光刻技術對其圖形化形成像素電極，像素電極通過吸光層過孔電連接相應的漏極；

步驟四、在像素電極層的上面依序疊合設置下定向層、液晶層、上定向層、公共電極層、上基板和偏振片。

8.一種反射型TFT液晶顯示器的制造方法，其特征是包括如下步驟：

步驟一、通過現有的TFT陣列技術在下基板上設置驅動部件層；

步驟二、采用黑色感光樹脂在驅動部件層的上面旋涂形成吸光層，并通過曝光顯影工藝對漏極延伸部分所在位置的吸光層進行曝光顯影，形成過孔；

步驟三、在吸光層的上面，采用濺射法沉積反射層，并采用掩膜光刻技術將其圖形化形成反射塊以及反射層上的開口；

步驟四、采用感光樹脂涂布的方式在反射層上設置光學介質層，并采用曝光顯影工藝形成光學介質層上的過孔；

步驟五、在光學介質層的上面，采用濺射法沉積像素電極層，并采用掩膜光刻技術對其圖形化形成像素電極，像素電極通過吸光層和光學介質層的過孔電連接相應的漏極；

步驟六、在像素電極層的上面依序疊合設置下定向層、液晶層、上定向層、公共電極層、上基板和偏振片。

9.如權利要求8所述反射型TFT液晶顯示器的制造方法，其特征是：在步驟二中采用的曝光方法為灰度曝光法，使吸光層的表面呈凹凸不平的形狀。

10.如權利要求8或9所述反射型TFT液晶顯示器的制造方法，其特征是：在步驟四中，設置光學介質層的具體做法是：選取第一種顏色的負性光敏彩色樹脂，涂布在反射層上，并曝光顯影形成第一彩色濾光層及過孔的延伸部分；選取第二種顏色的負性光敏彩色樹脂，涂布在反射層上，并曝光顯影形成第二彩色濾光層及過孔的延伸部分；選取第三種顏色的負性光敏彩色樹脂，涂布在反射層上，并曝光顯影形成第三彩色濾光層及過孔的延伸部分；形成的光學介質層為彩色濾光層，彩色濾光層覆蓋反射層。