[發明專利]微凸塊結構

無效

• 申請號: 201010164422.4
• 申請日: 2010-04-15
• 公開（公告）號: CN102222653A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 張道智;詹朝杰;蔡宗甫
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種微凸塊結構，適用于封裝結構中，其特征在于，所述凸塊結構至少包括：

至少一焊墊，位于一半導體基底上；

一保護層，位于該焊墊上并覆蓋部分該焊墊；

一環形金屬層，位于該保護層的一開口中，至少覆蓋該開口的側壁與該開口邊緣的部分該保護層；以及

一中央下凹的盤狀金屬結構，位于該環形金屬層上、位于該環形金屬層中空處并覆蓋部分該環形金屬層，其中該盤狀金屬結構至少包括一金屬底層位于該環形金屬層上與一焊料層位于該金屬底層上。

2.如權利要求1所述的微凸塊結構，其特征在于，所述焊墊為中空環狀，而該盤狀金屬結構覆蓋住該環形金屬層中空處所暴露出的該半導體基底。

3.如權利要求1所述的微凸塊結構，其特征在于，所述保護層的該開口為一環形開口暴露出部分該焊墊，而該盤狀金屬結構覆蓋住該環形金屬層中空處所暴露出的該保護層。

4.如權利要求1所述的微凸塊結構，其特征在于，所述環狀金屬層的材質包括鎳金屬或鎳合金。

5.如權利要求1所述的微凸塊結構，其特征在于，所述盤狀金屬結構更包括一種層位于該環形金屬層與該金屬底層之間，該種層的材質包括鈦、鈦鎢合金、鋁或鉻。

6.如權利要求1所述的微凸塊結構，其特征在于，所述金屬底層的材質包括銅、或鎳銅合金。

7.如權利要求1所述的微凸塊結構，其特征在于，所述焊料層的材質包括錫、錫鉛合金與錫銀合金。

8.如權利要求1所述的微凸塊結構，其特征在于，所述保護層的材質為聚亞酰胺或苯環丁醯(Benzocyclobutene，BCB)。

9.如權利要求3所述的微凸塊結構，其特征在于，所述介于該盤狀金屬結構與該環形金屬層間的該保護層的材質為金、銅或其它金屬材質。

10.一種微凸塊結構，適用于封裝結構中，其特征在于，所述凸塊結構至少包括：

至少一焊墊，位于一半導體基底上；

一保護層，位于該焊墊上，其中該保護層具有一環形開口而暴露出部分該焊墊；

以及

一環狀金屬結構，位于該保護層上與位于該焊墊上，其中該環狀金屬結構至少包括一金屬底層位于該焊墊上并部份位于該保護層上、一金屬層位于該金屬底層上與一焊料層位于該金屬層上。

11.如權利要求10所述的微凸塊結構，其特征在于，更包括一種層位于該保護層的該環形開口中，共形覆蓋該環形開口的側壁、底面與該環形開口邊緣的部分該保護層。

12.如權利要求11所述的微凸塊結構，其特征在于，所述種層的材質包括鈦、鈦鎢合金、鋁或鉻。

13.如權利要求10所述的微凸塊結構，其特征在于，所述金屬層的材質包括鎳金屬或鎳合金。

14.如權利要求10所述的微凸塊結構，其特征在于，所述金屬底層的材質包括銅、或鎳銅合金。

15.如權利要求10所述的微凸塊結構，其特征在于，所述焊料層的材質包括錫、錫鉛合金或錫銀合金。

16.如權利要求10所述的微凸塊結構，其特征在于，所述保護層的材質為聚亞酰胺或苯環丁醯(Benzocyclobutene，BCB)。