[發(fā)明專利]一種功率放大器和基于功率放大器的信號放大方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010164401.2
• 申請日: 2010-05-06
• 公開（公告）號: CN101826844A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發(fā)明（設計）人: 侯召政
• 申請（專利權(quán)）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種功率放大器，其特征在于，

包括依次相連的運算放大級、至少一個緩沖級和輸出級；

所述運算放大級有兩個輸入端，正輸入端連接信號源，接收待放 大信號，負輸入端接收反饋信號；

所述輸出級的輸出端與所述運算放大級的負輸入端之間連接有第 一反饋單元，用于對所述功率放大器的輸出進行閉環(huán)負反饋；

所述輸出級的輸入端與所述運算放大級的負輸入端之間連接有第 二反饋單元，用于補償所述輸出級輸入端輸入電容造成的相位滯后；

所述至少一個緩沖級的輸入端與所述運算放大級的負輸入端之間 連接有第三反饋單元，用于補償所述緩沖級輸入端輸入電容造成的相 位滯后；

所述第一反饋單元、第二反饋單元、第三反饋單元提供的反饋信 號在所述運算放大級的負輸入端疊加；

其中，所述第二反饋單元為相位超前反饋單元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，

所述第一反饋單元為相位滯后反饋單元；

所述第三反饋單元為相位超前反饋單元。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率放大器，其特征在于，

所述第一反饋單元為低通濾波器；

所述第二反饋單元為高通濾波器；

所述第三反饋單元為高通濾波器。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述運算放 大級為電流反饋放大器，所述電流反饋放大器的正相輸入端連接信號 源，接收待放大信號，反相輸入端接收反饋信號，將所述第一反饋單 元、第二反饋單元和第三反饋單元提供的反饋信號疊加。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的功率放大器，其特征在于， 所述輸出級包括N型金屬氧化物半導體場效應管NMOS，P型金屬氧 化物半導體場效應管PMOS和偏置電壓源；

其中，所述NMOS的源極和所述PMOS管的源極耦合連接，作為 所述功率放大器的輸出端；

所述NMOS的漏極連接供電電源正極；

所述PMOS的漏極接地或所述供電電源負極；

所述偏置電壓源的正極連接NMOS的門極，負極連接PMOS的門 極，用于為所述NMOS管和PMOS管提供門極偏置電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的功率放大器，其特征在于， 所述輸出級包括負極-正極-負極NPN型三極管，正極-負極-正極PNP 型三極管和偏置電路；

其中，所述NPN型三極管的發(fā)射極和所述PNP型三極管的集電極 耦合連接，作為所述功率放大器的輸出端；

所述NPN型三極管的集電極連接供電電源正極；

所述PNP型三極管的發(fā)射極接地或所述供電電源負極；

所述PNP型三極管的基極作為所述輸出級的輸入端；

所述偏置電路用于為所述NPN型三極管和PNP型三極管提供偏置 電流。

7.一種基于功率放大器的信號放大方法，其特征在于，包括：

將取自輸出級輸出端的第一反饋信號、輸出級輸入端的第二反饋 信號和緩沖級輸入端的第三反饋信號相疊加，形成總反饋信號；

將待放大信號和總反饋信號在負反饋的方式下在運算放大級輸入 端相耦合，在總反饋信號的補償作用下，對所述待放大信號進行放大。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的信號放大方法，其特征在于，

所述第一反饋信號由相位滯后反饋單元將所述輸出級輸出端信號 反饋至所述運算放大級輸入端；

所述第二反饋信號由相位超前反饋單元將所述輸出級輸入端信號 反饋至所述運算放大級輸入端；

所述第三反饋信號由相位超前反饋單元將所述緩沖級輸入端信號 反饋至所述運算放大級輸入端。