[發明專利]橫向半導體部件

有效

• 申請號: 201010164378.7
• 申請日: 2010-04-09
• 公開（公告）號: CN101859780A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: J·韋耶斯;A·莫德;F·赫勒;P·庫珀
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/28;H01L29/78;H01L51/05
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李娜;李家麟

1.具有橫向晶體管部件的半導體部件裝置，包括：

電絕緣載體層；

該載體層上的第一和第二半導體層，其被布置成一個在另一個上方并且通過電介質層彼此隔開以及其中至少第一半導體層包括多晶半導體材料、非晶半導體材料或有機半導體材料；

在第一半導體層中：源區、主體區、漂移區和漏區；

在第二半導體層中：鄰近漂移區布置的漂移控制區，包括在第一橫向末端的用于施加控制電位的控制端子并且在第二橫向末端經由整流元件耦合到漏區；

柵電極，鄰近主體區布置并且通過柵電介質層與主體區電介質絕緣。

2.權利要求1的半導體部件裝置，其中載體層被布置在半導體主體上，且其中其它半導體部件被布置在該半導體主體中，這些部件連接到橫向晶體管部件的柵電極、源區或漏區。

3.權利要求1的半導體部件裝置，其中薄膜部件被集成在載體層中，該薄膜部件連接到橫向晶體管部件的柵電極、源區或漏區。

4.權利要求1的半導體部件裝置，其中第二半導體層包括多晶或非晶半導體材料或無機半導體材料。

5.權利要求1的半導體部件裝置，其中整流元件被極化以使得在阻斷晶體管部件時防止使漂移控制區放電至漏區的電位。

6.權利要求1的半導體部件裝置，其中電容性存儲元件連接到漂移控制區的控制端子。

7.權利要求1的半導體部件裝置，其中漂移控制區的控制端子經由整流元件耦合到柵電極。

8.一種具有橫向晶體管部件的半導體部件裝置，包括：

電絕緣載體層；

該載體層上的第一和第二半導體層，其被布置成一個在另一個上方并且通過電介質層彼此隔開以及其中至少第一半導體層包括多晶半導體材料或非晶半導體材料或無機半導體材料；

在第一半導體層中：形成pn結或肖特基結的第一和第二部件區；

在第二半導體層中：漂移控制區，鄰近第二部件區布置、包括在第一橫向末端的用于施加控制電位的控制端子并且在第二橫向末端經由整流元件耦合到第二部件區。

9.權利要求8的半導體部件裝置，其中載體層被布置在半導體主體上，且其中其它半導體部件被集成在該半導體主體中，其它半導體部件連接到第一或第二部件區。

10.權利要求8的半導體部件裝置，其中薄膜部件被集成在載體層中，該薄膜部件連接到第一或第二部件區。

11.權利要求8的半導體部件裝置，其中第二半導體層包括多晶或非晶半導體材料或有機半導體材料。

12.權利要求8的半導體部件裝置，其中整流元件被極化以使得在阻斷晶體管部件時防止使漂移控制區放電至第二部件區的電位。

13.權利要求8的半導體部件裝置，其中電容性存儲元件連接到漂移控制區的控制端子。

14.一種具有橫向晶體管部件的半導體部件裝置，包括：

電絕緣載體層，具有大于100nm的厚度；

該載體層上的第一和第二半導體層，其被布置成一個在另一個上方并且通過電介質層彼此隔開；

在第一半導體層中：源區、主體區、漂移區和漏區；

在第二半導體層中：漂移控制區，鄰近漂移區布置、包括在第一橫向末端的用于施加控制電位的控制端子并且在第二橫向末端經由整流元件耦合到漏區；

柵電極，鄰近主體區布置并且通過柵電介質層與主體區電介質絕緣。

15.權利要求14的半導體部件裝置，其中載體層包括玻璃。

16.半導體部件，包括：

第一和第二半導體層，彼此鄰近布置并且通過電介質層彼此隔開以及其中至少第一半導體層包括多晶半導體材料和非晶半導體材料或有機半導體材料；

在第一半導體層中：源區、主體區、漂移區和漏區；

在第二半導體層中：漂移控制區，鄰近漂移區布置、包括在第一橫向末端的用于施加控制電位的控制端子并且在第二橫向末端經由整流元件耦合到漏區；

柵電極，鄰近主體區布置并且通過柵電介質層與主體區電介質絕緣。