[發(fā)明專利]磁共振成像裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010164376.8
• 申請日: 2010-05-06
• 公開（公告）號: CN102028467A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 坂倉良知
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝;東芝醫(yī)療系統(tǒng)株式會社
• 主分類號: A61B5/055
• 分類號: A61B5/055;G01R33/48
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

本申請要求2009年9月28日提出申請的日本專利申請?zhí)?009-223238及2010年1月29日提出申請的日本專利申請?zhí)?010-19551的優(yōu)先權(quán)，在本申請中引用該日本專利申請的全部內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及磁共振成像裝置。

背景技術(shù)

磁共振成像裝置是對置于靜磁場內(nèi)的被檢體施加高頻磁場、檢測通過高頻磁場的施加而從被檢體發(fā)出的磁共振信號、并生成圖像的裝置。這樣的磁共振成像裝置具備通過對被檢體施加梯度磁場而對磁共振信號附加空間的位置信息的梯度磁場線圈。

該梯度磁場線圈通過在攝像中被反復(fù)供給脈沖電流而較大地發(fā)熱。特別是，近年來，隨著成像技術(shù)的高速化，梯度磁場的切換(switching)的高速化及梯度磁場的高強度化成為必須，梯度磁場線圈的發(fā)熱變得更顯著。

并且，梯度磁場線圈的發(fā)熱有可能給攝像的圖像的畫質(zhì)帶來影響、或給作為攝像對象的被檢體帶來痛苦等。所以，例如提出了通過使制冷劑在設(shè)在梯度磁場線圈的內(nèi)部中的冷卻管中循環(huán)，在攝像中使梯度磁場線圈冷卻的技術(shù)(例如，參照日本特開2006-311957號公報)。

圖11是用來說明使用冷卻管的以往技術(shù)的一例的圖。圖11表示作為梯度磁場線圈一般使用的ASGC(Actively?Shielded?Gradient?Coil：有源屏蔽梯度線圈)。在圖11中，上側(cè)的面表示ASGC的外周面，下側(cè)的面表示ASGC的內(nèi)周面。這里，在ASGC的內(nèi)側(cè)，形成有放置被檢體的攝像區(qū)域。

如圖11所示，ASGC具有分別形成為圓筒狀的主線圈1及屏蔽線圈(shield?coil)2。此外，例如在主線圈1與屏蔽線圈2之間，形成有在梯度磁場線圈20的兩端面上形成開口的貫通孔作為勻場片托盤(shim?tray)插入導(dǎo)引部(guide)3。在該勻場片托盤插入導(dǎo)引部3中插入勻場片托盤4，該勻場片托盤4收容有用來修正放置被檢體的攝像區(qū)域內(nèi)的靜磁場不均勻性的鐵勻場片(shim)5。進而，在主線圈1的內(nèi)側(cè)，設(shè)有RF屏蔽部7，用來屏蔽從配置在ASGC的內(nèi)側(cè)的RF(Radio?Frequency：射頻)線圈發(fā)出的高頻磁場。

在這樣的ASGC中，例如在主線圈1與勻場片托盤插入導(dǎo)引部3之間，設(shè)有形成為螺旋狀的主線圈側(cè)冷卻管6a。此外，在屏蔽線圈2與勻場片托盤插入導(dǎo)引部3之間，設(shè)有形成為螺旋狀的屏蔽線圈側(cè)冷卻管6b。通過使冷卻水等的制冷劑循環(huán)到這些主線圈側(cè)冷卻管6a及屏蔽線圈側(cè)冷卻管6b中而將ASGC冷卻。

但是，近年來，磁共振成像裝置有形成攝像區(qū)域的孔徑(bore)的口徑變大的趨勢。如果孔徑的口徑變大則梯度磁場線圈的直徑也變大，所以對梯度磁場線圈供給的電力進一步變大。結(jié)果，梯度磁場線圈的發(fā)熱越發(fā)變大，隨之，處于梯度磁場線圈的內(nèi)側(cè)的攝像區(qū)域內(nèi)的溫度上升變得更顯著。

發(fā)明內(nèi)容

有關(guān)本發(fā)明的一技術(shù)方案的磁共振成像裝置，具備：靜磁場磁鐵，在放置被檢體的攝像區(qū)域中產(chǎn)生靜磁場；主線圈，設(shè)在上述靜磁場磁鐵的內(nèi)側(cè)，對放置在上述靜磁場內(nèi)的被檢體施加梯度磁場；屏蔽線圈，設(shè)在上述靜磁場磁鐵與上述主線圈之間，屏蔽由上述主線圈產(chǎn)生的梯度磁場；以及主線圈內(nèi)層冷卻管，設(shè)在上述主線圈的內(nèi)側(cè)，使制冷劑在管內(nèi)流通。

此外，有關(guān)本發(fā)明的另一技術(shù)方案的磁共振成像裝置，具備：靜磁場磁鐵，在放置被檢體的攝像區(qū)域中產(chǎn)生靜磁場；主線圈，設(shè)在上述靜磁場磁鐵的內(nèi)側(cè)，對放置在上述靜磁場內(nèi)的被檢體施加梯度磁場；主線圈內(nèi)層冷卻管，設(shè)在上述主線圈的內(nèi)側(cè)，使制冷劑在管內(nèi)流通；以及主線圈外層冷卻管，設(shè)在上述主線圈的外側(cè)，使制冷劑在管內(nèi)流通；上述主線圈內(nèi)層冷卻管及上述主線圈外層冷卻管分別夾著上述主線圈而設(shè)置。

附圖說明

圖1是表示有關(guān)本實施例的MRI裝置的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。

圖2是表示梯度磁場線圈的構(gòu)造的立體圖。

圖3是表示梯度磁場線圈的內(nèi)部構(gòu)造的構(gòu)造圖

圖4是RF屏蔽部的外觀圖。

圖5是RF屏蔽部的展開圖。

圖6是用來說明在RF屏蔽部上形成的各狹縫(slit)的作用的圖。

圖7是表示RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)的立體圖。

圖8是表示RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)具有的冷卻管的一端的圖。

圖9是表示RF線圈側(cè)冷卻系統(tǒng)具有的冷卻管的另一端的圖。

圖10是表示梯度磁場線圈的端部的內(nèi)部構(gòu)造的剖視圖。

圖11是用來說明使用冷卻管的以往技術(shù)的一例的圖。

具體實施方式