[發明專利]多電感耦合等離子體反應器及其方法

有效

• 申請號: 201010164265.7
• 申請日: 2010-04-09
• 公開（公告）號: CN102163538A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 許魯鉉;金奎東;南昌祐;樸成民;崔大圭
• 申請（專利權）人: 株式會社新動力等離子體
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01J37/32
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

1.在多電感耦合等離子體反應方法中，用于增進待處理的襯底中的特定部分的蝕刻方法，包括：

蝕刻所述待處理的襯底中的特定部分；以及

在被蝕刻的所述特定部分的表面上沉積鈍化層，

其中重復進行所述蝕刻和沉積步驟，并且當存在由中心等離子體源和外圍等離子體源形成的等離子體時，執行所述兩個步驟之一。

2.根據權利要求1所述的多電感耦合等離子體反應方法，其中當存在由所述中心等離子體源和所述外圍等離子體源形成的等離子體時，執行所述蝕刻和沉積這兩個步驟。

3.根據權利要求1所述的多電感耦合等離子體反應方法，其中當存在由所述中心等離子體源和所述外圍等離子體源形成的等離子體時，將所述特定部分的所述鈍化層去除并再次進行蝕刻。

4.根據權利要求2所述的多電感耦合等離子體反應方法，其中所述中心等離子體源和所述外圍等離子體源每個使用電感耦合方法來產生等離子體。

5.根據權利要求2所述的多電感耦合等離子體反應方法，其中所述中心等離子體源使用電容耦合方法來產生等離子體，并且所述外圍等離子體源使用電感耦合方法來產生等離子體。

6.一種多電感耦合等離子體反應器，包括：

反應器主體，所述反應器主體在內部包括襯底支撐件，所述襯底支撐件用于支撐待處理的襯底；

中心等離子體源，所述中心等離子體源在所述反應器主體的中心區中產生等離子體；以及

外圍等離子體源，所述外圍等離子體源在所述反應器主體的外圍區中產生等離子體，

其中重復執行對于所述待處理的襯底中的特定部分的蝕刻和鈍化層的沉積。

7.根據權利要求6所述的多電感耦合等離子體反應器，其中所述中心等離子體源和所述外圍等離子體源每個使用電感耦合方法來產生等離子體。

8.根據權利要求6所述的多電感耦合等離子體反應器，其中所述中心等離子體源使用電容耦合方法來產生等離子體，并且所述外圍等離子體源使用電感耦合方法來產生等離子體。

9.根據權利要求6所述的多電感耦合等離子體反應器，其中所述中心等離體源和所述外圍等離子體源被布置成距離所述待處理的襯底的高度不同。

10.根據權利要求6所述的多電感耦合等離子體反應器，其中所述中心等離子體源是平面形式和圓頂形式之一。

11.根據權利要求6所述的多電感耦合等離子體反應器，進一步包括用于向所述中心等離子體源提供電力的中心電源以及用于向所述外圍等離子體源提供電力的外圍電源。

12.根據權利要求11所述的多電感耦合等離子體反應器，其中所述中心電源和所述外圍電源分別提供不同頻率的電力源。

13.根據權利要求12所述的多電感耦合等離子體反應器，其中所述中心電源提供具有1～5MHz頻率的電力，并且所述外圍電源具有1～500KHz的頻率。

14.根據權利要求6所述的多電感耦合等離子體反應器，其中所述襯底支撐件連接到偏置供應源，所述偏置供應源提供1～50MHz的偏置電力源。

15.根據權利要求6所述的多電感耦合等離子體反應器，其中所述中心等離子體源或者所述外圍等離子體源包括：

射頻天線；以及

磁芯覆蓋件，所述磁芯覆蓋件覆蓋所述射頻天線，并且被布置使得磁通量的進入被導向所述反應器主體的內部。

16.根據權利要求15所述的多電感耦合等離子體反應器，其中所述射頻天線進一步包括在其下部的法拉第屏蔽。

17.根據權利要求6所述的多電感耦合等離子體反應器，其中防干擾電極被布置在所述中心等離子體源和所述外圍等離子體源之間并且接地，以將所述中心等離子體源和所述外圍等離子體源彼此電隔離。

18.根據權利要求6所述的多電感耦合等離子體反應器，其中所述中心等離子體源包括中心氣體供應器，并且所述外圍等離子體源包括外圍氣體供應器，以便供應處理氣體。

19.根據權利要求18所述的多電感耦合等離子體反應器，其中所述中心氣體供應器和所述外圍氣體供應器包括多個氣體噴嘴。

20.根據權利要求19所述的多電感耦合等離子體反應器，其中所述中心氣體供應器和所述外圍氣體供應器提供來自氣體供應源的相同的處理氣體或不同的處理氣體。