[發明專利]集成型半導體激光元件及其制造方法

無效

• 申請號: 201010164149.5
• 申請日: 2005-09-23
• 公開（公告）號: CN101826703A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 伊豆博昭;山口勤;大保廣樹;廣山良治;畑雅幸;太田潔
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;邸萬杰

1.一種集成型半導體激光元件，其特征在于：

包括：在包含第1發光區域的同時、具有凸部的第1半導體激光元件；和

在包含第2發光區域的同時、具有凹部的第2半導體激光元件；

所述第1半導體激光元件在所述凸部的下方具有活性層，

所述第1發光區域位于所述第1半導體激光元件的所述活性層內，

所述凸部經接合層嵌入所述凹部中，

所述第1發光區域和所述第2發光區域配置于半導體層的層疊方向的同一線上。

2.根據權利要求1所述的集成型半導體激光元件，其特征在于：

所述第1發光區域位于所述凸部的下方。

3.根據權利要求1所述的集成型半導體激光元件，其特征在于：

所述第2半導體激光元件具有隆起、并且在所述隆起的下方具有活性層。

4.根據權利要求3所述的集成型半導體激光元件，其特征在于：

所述第2發光區域位于所述第2半導體激光元件的所述活性層內、并且位于所述隆起的下方。

5.根據權利要求3所述的集成型半導體激光元件，其特征在于：

所述隆起向所述凸部側突出。

6.根據權利要求1所述的集成型半導體激光元件，其特征在于：

所述第1半導體激光元件和所述第2半導體激光元件的至少一方還包含形成所述凸部或所述凹部的基板。

7.根據權利要求1所述的集成型半導體激光元件，其特征在于：

所述凸部具有頂端部側的寬度比根部側的寬度小的錐形，

所述凹部具有底部側的寬度比開放端側的寬度小的錐形。

8.根據權利要求1所述的集成型半導體激光元件，其特征在于：

所述第1半導體激光元件還包含配置于所述第2半導體激光元件側、向所述第1發光區域供電的第1電極，

所述第2半導體激光元件還包含配置于所述第1半導體激光元件側、向所述第2發光區域供電的第2電極，

至少在所述第1電極與所述第2電極之間配置絕緣膜。

9.一種集成型半導體激光元件，其特征在于：

包括：在包含第1發光區域的同時、具有凸部的第1半導體激光元件；和

在包含第2發光區域的同時、具有凹部的第2半導體激光元件；

所述第1半導體激光元件的所述凸部嵌入所述第2半導體激光元件的所述凹部中，

所述第1半導體激光元件在所述凸部的下方具有活性層，

所述凸部的下方的所述活性層成為所述第1發光區域，

所述第1半導體激光元件還包含配置于所述第2半導體激光元件側、向所述第1發光區域供電的第1電極，

所述第2半導體激光元件還包含配置于所述第1半導體激光元件側、向所述第2發光區域供電的第2電極，

在所述第1電極和所述第2電極之間配置有絕緣膜。

10.根據權利要求9所述的集成型半導體激光元件，其特征在于：

在所述第1電極或所述第2電極上配置有絕緣膜。

11.根據權利要求9所述的集成型半導體激光元件，其特征在于；

所述絕緣膜形成于所述凸部上。

12.根據權利要求9所述的集成型半導體激光元件，其特征在于：

在所述絕緣膜中形成開口部，同時，在所述第2半導體激光元件的對應于所述絕緣膜的所述開口部的區域中，形成沿所述半導體層的層疊方向延伸的第1接觸孔，

所述第1電極經所述第1接觸孔和所述絕緣膜的所述開口部，從所述第2半導體激光元件側與外部電連接。

13.根據權利要求9所述的集成型半導體激光元件，其特征在于：

還包括第3半導體激光元件，該第3半導體激光元件包含第3發光區域和第3電極，該第3電極配置在所述第1半導體激光元件側，向所述第3發光區域供電，

所述絕緣膜，除了配置在所述第1電極與所述第2電極之間以外，還配置在所述第1電極與所述第3電極之間。