[發明專利]可增加寫入裕量的靜態隨機存取存儲器

有效

• 申請號: 201010163847.3
• 申請日: 2010-04-29
• 公開（公告）號: CN101814315A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 胡劍
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C11/412
• 分類號: G11C11/412
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種可增加寫入裕量的靜態隨機存取存儲器，至少包含：

靜態隨機存取存儲單元陣列，該靜態隨機存取存儲單元陣列包含多個以陣列 形式排列的靜態隨機存取存儲單元；以及

可控電源電路，連接于該靜態隨機存取存儲單元陣列，用于給每個靜態隨機 存取存儲單元提供可控的電壓；

該靜態隨機存取存儲單元包含第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第 一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第三NMOS晶體管以及第四NMOS晶 體管，該第一NMOS晶體管與該第一PMOS晶體管以及該第二NMOS晶體管 與該第二PMOS晶體管分別組成反向器，該第三NMOS晶體管與該第四NMOS 晶體管的源極分別與位線及互補位線連接，該第三NMOS晶體管與該第四 NMOS晶體管的柵極連接一字線，該第一PMOS晶體管與該第二PMOS晶體管 的柵極連接至一電源正端，該第一NMOS晶體管與該第二NMOS晶體管的源極 連接至該可控電源電路，由該可控電源電路給該靜態隨機存取存儲單元提供可 控的電源負端電壓。

2.如權利要求1所述的可增加寫入裕量的靜態隨機存取存儲器，其特征在 于，當需要進行寫入操作時，該可控電源電路使得被操作的靜態隨機存取存儲 單元所在列的該電源負端電壓提高，其他列的電源負端電壓不變。

3.如權利要求2所述的可增加寫入裕量的靜態隨機存取存儲器，其特征在 于，在讀出和保持模式，每列的電源負端電壓不變。