[發(fā)明專利]一種壓焊塊金屬層加厚的芯片及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010163647.8
• 申請日: 2010-05-05
• 公開（公告）號: CN102237327A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發(fā)明（設計）人: 馬萬里;趙文魁
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 北京天悅專利代理事務所(普通合伙) 11311
• 代理人: 田明;任曉航

1.一種壓焊塊金屬層加厚的芯片，包括硅襯底、硅襯底上的金屬層、金屬層上的鈍化層以及壓焊塊，其特征在于：所述壓焊塊的金屬層厚度大于金屬走線的金屬層厚度。

2.如權利要求1所述的壓焊塊金屬層加厚的芯片，其特征在于：所述壓焊塊的金屬層厚度取決于芯片封裝時采用銅線打線的情況下銅線的直徑，銅線的直徑越大，壓焊塊的金屬層厚度越厚；壓焊塊的金屬層厚度以采用一定直徑的銅線打線時不被打穿的厚度要求為最低限。

3.如權利要求2所述的壓焊塊金屬層加厚的芯片，其特征在于：所述銅線直徑的取值范圍在0.8mil～6.0mil之間，相應地，壓焊塊金屬層厚度的取值范圍在1.0μm～8.0μm之間。

4.如權利要求3所述的壓焊塊金屬層加厚的芯片，其特征在于：所述銅線的直徑為0.8mil時，壓焊塊金屬層厚度為1.0μm。

5.如權利要求3所述的壓焊塊金屬層加厚的芯片，其特征在于：所述銅線的直徑為1.0mil時，壓焊塊金屬層厚度的取值范圍在1.5μm～8.0μm之間。

6.如權利要求3所述的壓焊塊金屬層加厚的芯片，其特征在于：所述銅線的直徑為1.2mil時，壓焊塊金屬層厚度的取值范圍在2.0μm～8.0μm之間。

7.如權利要求3所述的壓焊塊金屬層加厚的芯片，其特征在于：所述銅線的直徑為1.5mil或2.0mil時，壓焊塊金屬層厚度的取值范圍在3.0μm～8.0μm之間。

8.如權利要求3所述的壓焊塊金屬層加厚的芯片，其特征在于：所述銅線的直徑為3.0mil或4.0mil時，壓焊塊金屬層厚度的取值范圍在4.0μm～8.0μm之間。

9.如權利要求3所述的壓焊塊金屬層加厚的芯片，其特征在于：所述銅線的直徑為5.0mil或6.0mil時，壓焊塊金屬層厚度的取值范圍在6.0μm～8.0μm之間。

10.一種壓焊塊金屬層加厚芯片的制造方法，包括

根據(jù)芯片的功能，在硅襯底表面上進行金屬層的濺射、光刻和刻蝕，完成芯片內的金屬走線，同時形成壓焊塊的步驟；

鈍化層生長、光刻和刻蝕，將壓焊塊區(qū)域刻蝕出來的步驟；

其特征在于：所述方法還包括在鈍化層表面上再次進行金屬層的濺射、光刻和刻蝕的步驟，保留壓焊塊區(qū)域的金屬。