[發明專利]非易失性存儲器件有效
| 申請號： | 201010163558.3 | 申請日： | 2010-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN101859778A | 公開（公告）日： | 2010-10-13 |
| 發明（設計）人： | 鄭載勛;金漢洙;張在薰;趙厚成;金敬勛 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/115 | 分類號： | H01L27/115;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 張波 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非易失性存儲器 | ||
1.一種非易失性存儲器件，包括：
單元陣列，具有三維地布置在半導體基板上的線狀的多個導電圖案，所述單元陣列彼此分離；
半導體圖案，從所述半導體基板延伸以與所述導電圖案的側壁交叉；
公共源極區，沿所述導電圖案延伸的方向設置在所述半導體圖案下部分之下的所述半導體基板中；
第一雜質區，設置在所述半導體基板中，其中所述第一雜質區沿與所述導電圖案交叉的方向延伸以電連接所述公共源極區；以及
第一接觸孔，暴露所述第一雜質區的在分離的單元陣列之間的部分。
2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中所述分離的單元陣列之間的距離大于分離的導電圖案之間的距離。
3.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中所述第一雜質區的導電類型與所述公共源極區的導電類型相同。
4.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，還包括：
填充所述第一接觸孔的接觸插塞；以及
公共源極線，沿所述第一雜質區延伸的方向或者與該雜質區交叉的方向設置，并電連接到所述接觸插塞。
5.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，還包括第二雜質區，所述第二雜質區與所述第一雜質區分離并設置在所述分離的單元陣列之間，
其中所述第二雜質區的導電類型與所述第一雜質區的導電類型不同。
6.根據權利要求5所述的非易失性存儲器件，還包括暴露部分所述第二雜質區的第二接觸孔。
7.一種非易失性存儲器件，包括：
單元陣列，具有順序堆疊在半導體基板上的板狀的導電圖案，所述單元陣列彼此分離；
半導體圖案，從所述半導體基板豎直延伸以穿透所述導電圖案；
公共源極區，設置在所述半導體基板的整個表面上；以及
第一接觸孔，暴露所述公共源極區的在分離的單元陣列之間的部分。
8.根據權利要求7所述的非易失性存儲器件，其中所述導電圖案的每個區域隨著所述導電圖案從所述半導體基板沿堆疊方向延伸而減小。
9.根據權利要求7所述的非易失性存儲器件，還包括：
接觸插塞，填充所述第一接觸孔；以及
公共源極線，沿所述單元陣列延伸的方向或與所述單元陣列交叉的方向延伸，并電連接到所述接觸插塞。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
