[發(fā)明專利]氧化物薄膜晶體管及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010163043.3
• 申請日: 2010-05-05
• 公開（公告）號: CN102237411A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 舒芳安;辛哲宏;黃松輝;陳禮廷;張永升
• 申請（專利權(quán)）人: 元太科技工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/43;H01L21/34;H01L21/77
• 代理公司: 北京匯智英財專利代理事務(wù)所 11301
• 代理人: 牟長林

1.一種氧化物薄膜晶體管，其包括一個基板、一個閘極層、一層氧化物薄膜與一個閘極絕緣層，該閘極層設(shè)置于該基板上方，其特征在于：該氧化物薄膜設(shè)置于該基板上方，并具有一個源極區(qū)、一個漏極區(qū)及一個通道區(qū)，其中該通道區(qū)位于該源極區(qū)與該漏極區(qū)之間，并對應(yīng)至該閘極層，且該源極區(qū)與該漏極區(qū)的導(dǎo)電性大于該通道區(qū)的導(dǎo)電性；該閘極絕緣層設(shè)置于該基板上方，并位于該閘極層與該氧化物薄膜之間。

2.如權(quán)利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于：該氧化物薄膜包含氧化銦鎵鋅或氧化銦鋅。

3.如權(quán)利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于：該閘極層的材質(zhì)包括銦錫氧化物。

4.如權(quán)利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于：該閘極絕緣層覆蓋該閘極層，且該氧化物薄膜設(shè)置于該閘極絕緣層上。

5.如權(quán)利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于：該閘極絕緣層設(shè)置于該氧化物薄膜上，而該閘極層設(shè)置于該閘極絕緣層上且與該氧化物薄膜的該通道區(qū)相對應(yīng)。

6.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于包括步驟：

提供一個基板；

在該基板上形成一個閘極層、一個閘極絕緣層以及一個氧化物半導(dǎo)體層，其中該閘極絕緣層位于該閘極層與該氧化物半導(dǎo)體層之間，且該氧化物半導(dǎo)體層具有一個源極預(yù)定區(qū)、一個漏極預(yù)定區(qū)及一個通道區(qū)，其中該通道區(qū)位于該源極預(yù)定區(qū)與該漏極預(yù)定區(qū)之間；以及

對該源極預(yù)定區(qū)與該漏極預(yù)定區(qū)進(jìn)行一個導(dǎo)電化制程，以于該閘極絕緣層上形成具有該通道區(qū)、一個源極區(qū)與一個漏極區(qū)的氧化物薄膜。

7.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：形成該閘極層、該閘極絕緣層以及該氧化物半導(dǎo)體層的方法包括：

在該基板上依次形成該閘極層與該閘極絕緣層，以使該閘極絕緣層覆蓋該閘極層；以及

在該閘極絕緣層上形成該氧化物半導(dǎo)體層。

8.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：形成該閘極層、該閘極絕緣層以及該氧化物半導(dǎo)體層的方法包括：

在該基底上形成該氧化物半導(dǎo)體層；

在該氧化物半導(dǎo)體層上形成該閘極絕緣層；以及

在該閘極絕緣層上形成該閘極層，該閘極層與該氧化物薄膜的該通道區(qū)相對應(yīng)。

9.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：該導(dǎo)電化制程包括等離子處理制程，且該等離子處理制程所使用的氣體包括氬氣、氨氣或氫氣。

10.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：該導(dǎo)電化制程包括紫外光照射或激光照射。