[發明專利]一種化學氣相沉積裝置

有效

• 申請號: 201010162506.4
• 申請日: 2010-04-28
• 公開（公告）號: CN101819925A
• 公開（公告）日: 2010-09-01
• 發明（設計）人: 段瑞飛;曾一平;王軍喜;冉軍學;胡國新;羊建坤;梁勇;路紅喜;李晉閩
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種化學氣相沉積裝置，其特征在于，該裝置包括：

一箱體，該箱體為矩形殼體；

多個獨立的生長室，該多個獨立的生長室位于該箱體之內，分別用于 n型層外延材料、多量子阱有源層、和p型層外延材料的不同生長工藝的材 料生長，該多個獨立的生長室中的每個生長室都設有獨立的加熱源、獨立 的氣體原材料管路、獨立的監控系統；

一機械臂，該機械臂位于該箱體底面的中部，該多個獨立的生長室環 繞于該機械臂的周圍，使用該機械臂進行樣品的傳遞。

2.根據權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，該多個獨 立的生長室的數量為3～8個。

3.根據權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述用于 n型層外延材料生長的生長室，僅配備生長n型材料所需的源材料、加熱源 以及監控系統。

4.根據權利要求3所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述用于 n型層外延材料生長的生長室配備的源材料，根據n型層外延材料生長要求 為有機源或者鹵化物；加熱源和監控系統都簡化為滿足結構材料對于n型 層的最低要求設置。

5.根據權利要求4所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述用于 n型層外延材料生長的生長室配備的有機源為固態、氣態或者液態源。

6.根據權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述用于 多量子阱有源層生長的生長室，僅配備生長有源層所需的源材料、加熱源 以及監控系統。

7.根據權利要求6所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，配備的 源材料滿足有源層的擴展需求，加熱源保證有源層的均勻性和一致性，監 控系統設置為滿足材料性能最大化和最好的均勻性。

8.根據權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述用 于p型層外延材料生長的生長室，僅配備生長高質量p型材料所需的源材 料、加熱源以及監控系統。

9.根據權利要8所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，配備的p 型材料所需的源材料可配置為獲得最佳的p型材料，加熱源和監控系統簡 化為滿足結構材料對于p型層的最低要求設置。