[發明專利]一種檢測氮化鎵基場效應晶體管表面鈍化效果的方法

有效

• 申請號: 201010162263.4
• 申請日: 2010-04-28
• 公開（公告）號: CN102237288A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 彭銘曾;鄭英奎;劉果果;劉新宇
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種檢測氮化鎵基場效應晶體管表面鈍化效果的方法，其特征在于，該方法采用電容-電壓測量儀，具體包括：

步驟10：在氮化鎵基場效應晶體管的柵極和源極或者漏極之間加載電壓；

步驟20：電容-電壓測量儀的內置電源提供Vgs或者Vgd端口電壓的自動掃描，獲得Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之間的關系曲線；

步驟30：對氮化鎵基場效應晶體管器件采用表面鈍化處理，然后再次測量器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之間的關系曲線；

步驟40：比較表面鈍化處理前后器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之間的關系曲線，當Vgs或Vgd低于器件閾值電壓為溝道關態電容，當Vgs或Vgd高于器件閾值電壓為溝道開態電容，從溝道關態電容和溝道開態電容的相對變化量來衡量表面鈍化處理的效果好壞。

2.根據權利要求1所述的檢測氮化鎵基場效應晶體管表面鈍化效果的方法，其特征在于，步驟10中所述在氮化鎵基場效應晶體管的柵極和源極或者漏極之間加載電壓，包括：

在電容-電壓測量儀的High端口接氮化鎵基場效應晶體管的柵端口G，采用正電壓加載到G端，電容-電壓測量儀的Low端口接氮化鎵基場效應晶體管的源端口S或者漏端口D。

3.根據權利要求1所述的檢測氮化鎵基場效應晶體管表面鈍化效果的方法，其特征在于，步驟30中所述對氮化鎵基場效應晶體管器件采用表面鈍化處理，采用酸堿溶液、等離子體處理和介質鈍化，其中，酸堿溶液包括鹽酸、磷酸、氫氟酸、氨水、氫氧化鈉和氫氧化鉀中的任一種，等離子體處理包括N₂等離子體、NH₃等離子體或O₂等離子體，介質鈍化包括氧化硅、氮化硅、氧化鋁和苯并環丁烯中的任一種。

4.根據權利要求1所述的檢測氮化鎵基場效應晶體管表面鈍化效果的方法，其特征在于，所述電容-電壓測量儀采用LCR表HP4284A。