[發明專利]流體處理裝置、浸沒式光刻設備以及器件制造方法

有效

• 申請號: 201010162215.5
• 申請日: 2010-04-08
• 公開（公告）號: CN101859072A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: E·H·E·C·尤姆麥倫;K·斯蒂芬斯;兼子毅之;G·M·M·考克恩
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王新華

1.一種浸沒式光刻設備，包括：

投影系統，其具有光學軸線；

襯底臺，其配置用于保持襯底，所述襯底、臺或兩者限定面對的表面；和

流體處理結構，其配置成供給浸沒液體到限定在所述投影系統和所述面對的表面之間的浸沒空間，所述流體處理結構包括：

流體去除裝置，其布置成去除來自所述浸沒空間的浸沒液體；和

液滴去除裝置，其布置成去除浸沒液體的液滴，其中：

所述液滴去除裝置較所述流體去除裝置遠離所述光學軸線，并且

所述液滴去除裝置包括面對所述面對的表面的多孔部件。

2.如權利要求1所述的浸沒式光刻設備，其中，所述多孔部件的至少一部分和所述面對的表面之間的距離隨離開所述光學軸線的距離增大而增大。

3.如權利要求2所述的浸沒式光刻設備，其中，所述部分設置在所述多孔部件的相對于所述光學軸線的外側部分。

4.如權利要求2或3所述的浸沒式光刻設備，其中，比所述部分靠近所述光學軸線的所述多孔部件的內側部分離開所述面對的表面的距離基本上恒定。

5.如權利要求2或3所述的浸沒式光刻設備，其中，比所述部分靠近所述光學軸線的所述多孔部件的內側部分與面對的表面之間的距離隨離開所述光學軸線的距離增大而減小。

6.如前面權利要求中任一項所述的浸沒式光刻設備，其中，所述液滴去除裝置相對于所述光學軸線的最內側邊緣與所述面對的表面之間的距離小于所述流體去除裝置與所述面對的表面之間的距離。

7.如前面權利要求中任一項所述的浸沒式光刻設備，其中，所述流體去除裝置是配置成抽取兩相流體的兩相抽取器。

8.如前面權利要求中任一項所述的浸沒式光刻設備，其中，所述流體去除裝置包括位于所述流體處理結構的表面內的多個離散的開口，所述開口以圖案的形式限定在所述表面內并且配置成通過去除(i)來自所述浸沒空間的浸沒液體和(ii)來自所述浸沒液體外部的大氣中的氣體的混合物而將所述浸沒液體限制到所述浸沒空間。

9.如前面權利要求中任一項所述的浸沒式光刻設備，其中：

所述多孔部件包括多個開口，并且

所述開口之間的間距隨離開所述光學軸線的距離增大而增大，和/或每個開口的出口面積隨離開所述光學軸線的距離增大而減小。

10.如前面權利要求中任一項所述的浸沒式光刻設備，其中，所述液滴去除裝置配置成去除已經從所述浸沒空間內的所述浸沒液體脫離的浸沒液體液滴。

11.如前面權利要求中任一項所述的浸沒式光刻設備，其中，所述多孔部件配置成去除浸沒液體和氣體的混合物。

12.如前面權利要求中任一項所述的浸沒式光刻設備，還包括抽取裝置，所述抽取裝置連接到所述流體去除裝置和所述液滴去除裝置，以便減小位于所述流體去除裝置和所述液滴去除裝置兩者處的壓力。

13.一種浸沒式光刻設備，包括：

投影系統，其具有光學軸線；

襯底臺，其配置成保持襯底，所述襯底、臺或兩者限定面對的表面；和

流體處理結構，其配置成供給浸沒液體到限定在所述投影系統和所述面對的表面之間的浸沒空間，所述流體處理結構包括：

流體去除裝置，其布置成去除來自所述浸沒空間的浸沒液體；和

液滴去除裝置，其面對所述面對的表面并配置成去除浸沒液體的液滴，其中：

所述液滴去除裝置較所述流體去除裝置遠離所述光學軸線，并且

所述液體去除裝置的至少一部分和所述面對的表面之間的距離隨離開所述光學軸線的距離增大而增大。