[發明專利]二維固態攝像裝置及其偏光數據處理方法有效
| 申請號: | 201010161792.2 | 申請日: | 2010-05-04 |
| 公開(公告)號: | CN101887900A | 公開(公告)日: | 2010-11-17 |
| 發明(設計)人: | 橫川創造 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 褚海英;武玉琴 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 二維 固態 攝像 裝置 及其 偏光 數據處理 方法 | ||
1.一種二維固態攝像裝置,其包括以二維矩陣排列的像素區域,各像素區域由多個子像素區組成,各子像素區具有光電轉換元件,
其中,在組成各像素區域的所述子像素區中的至少一個的光入射側設置有偏光部件,
所述偏光部件具有帶狀導電遮光材料層和設置在所述帶狀導電遮光材料層之間的狹縫區域,以透過具有垂直于所述帶狀導電遮光材料層延伸方向的方向上的偏光成分的光,并且抑制具有平行于所述帶狀導電遮光材料層延伸方向的方向上的偏光成分的光的透過,
各子像素區進一步具有用于控制所述光電轉換元件的操作的布線層,并且
所述偏光部件和所述布線層由相同的材料制成并且設置在同一虛擬平面上。
2.一種二維固態攝像裝置,其包括以二維矩陣排列的像素區域,各像素區域由多個子像素區組成,各子像素區具有光電轉換元件,
其中,在組成各像素區域的所述子像素區中的至少一個的光入射側設置有偏光部件;
所述偏光部件具有帶狀導電遮光材料層和設置在所述帶狀導電遮光材料層之間的狹縫區域,以透過具有垂直于所述帶狀導電遮光材料層延伸方向的方向上的偏光成分的光,并且抑制具有平行于所述帶狀導電遮光材料層延伸方向的方向上的偏光成分的光的透過,
各子像素區進一步具有用于控制所述光電轉換元件上的光入射的遮光層,并且
所述偏光部件和所述遮光層設置在同一虛擬平面上。
3.一種二維固態攝像裝置,其包括以二維矩陣排列的像素區域,各像素區域由多個子像素區組成,各子像素區具有光電轉換元件,
其中,在組成各像素區域的所述子像素區之一的光入射側設置有偏光部件,在其余的子像素區的光入射側設置有濾色器;
所述偏光部件具有帶狀導電遮光材料層和設置在所述帶狀導電遮光材料層之間的狹縫區域,以透過具有垂直于所述帶狀導電遮光材料層延伸方向的方向上的偏光成分的光,并且抑制具有平行于所述帶狀導電遮光材料層延伸方向的方向上的偏光成分的光的透過,并且
所述濾色器和所述偏光部件設置在同一虛擬平面上。
4.一種二維固態攝像裝置,其包括以二維矩陣排列的像素區域,各像素區域由多個子像素區組成,各子像素區具有光電轉換元件,
其中,在組成各像素區域的所述子像素區之一的光入射側設置有偏光部件,
所述偏光部件具有帶狀導電遮光材料層和設置在所述帶狀導電遮光材料層之間的狹縫區域,以透過具有垂直于所述帶狀導電遮光材料層延伸方向的方向上的偏光成分的光,并且抑制具有平行于所述帶狀導電遮光材料層延伸方向的方向上的偏光成分的光的透過,并且,
由Q0個像素區域(其中Q0≥3)組成像素區域組,并滿足:
θq=θ1+(180/Q)×(q-1)(度),
其中,Q為正整數(其中3≤Q≤Q0),θ1是由預定的方向以及所述帶狀導電遮光材料層在第q個像素區域(其中q=1)所包括的所述子像素區的偏光部件中延伸的方向來限定的角度,θq是由預定的方向以及所述帶狀導電遮光材料層在從Q-1個像素區域中選擇的第q個像素區域(其中2≤q≤Q)包括的子像素區的偏光部件中延伸的方向來限定的角度,所述Q-1個像素區域是從除第一像素區域之外的像素區域中選出的。
5.根據權利要求4所述的二維固態攝像裝置,其中Q為4。
6.根據權利要求4所述的二維固態攝像裝置,其中,各子像素區進一步具有用于控制所述光電轉換元件的操作的布線層,所述偏光部件和所述布線層由相同的材料制成并且設置在同一虛擬平面上。
7.根據權利要求4所述的二維固態攝像裝置,其中,各子像素區進一步具有用于控制所述光電轉換元件上的光入射的遮光層,所述偏光部件和所述遮光層設置在同一虛擬平面上。
8.根據權利要求4所述的二維固態攝像裝置,其中,在未設置偏光部件的子像素區的光入射側設置有濾色器,所述濾色器和所述偏光部件設置在同一虛擬平面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





