[發明專利]一種仿生微納結構制備方法無效
| 申請號： | 201010161272.1 | 申請日： | 2010-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN101823685A | 公開（公告）日： | 2010-09-08 |
| 發明（設計）人： | 廖廣蘭;王中林;彭爭春;史鐵林;高陽 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 仿生 結構 制備 方法 | ||
1.一種自頂向下與自底向上相結合的仿生微納結構制備方法，集 成了自頂向下的微尺度結構制備與自底向上的納米結構生長工藝，具 體包括以下步驟：
(1)在Si基底表面熱生長一層SiO2薄膜；
(2)在SiO2薄膜表面旋涂光刻膠，利用光刻技術將光刻掩膜板上的 微尺度圖形轉移到光刻膠表面；
(3)以所述光刻膠為掩膜，采用反應離子刻蝕方法，刻蝕暴露出的 SiO2，將光刻膠上的圖形轉移到所述SiO2薄膜；
(4)以所述SiO2薄膜為掩膜，采用感應耦合等離子干法深刻蝕硅， 得到周期或準周期分布的微尺度結構，作為納米結構生長的基 底；
(5)將生長納米結構的種子種植在上述微尺度結構的基底上，然后 定向生長納米結構，即可得到所述的仿生微納結構；
其中，所述的仿生微納結構為仿蝴蝶磷翅結構，微尺度結構基底 的側壁保留有一定深度的波紋，所述生長納米結構的種子種植在該波 紋中。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的仿生微納結 構為壁虎腳結構，所述生長納米結構的種子種植在微尺度結構基底的 頂部。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的種子通 過電子束蒸發方式種植。
4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，為控制納米結 構生長的區域，在微尺度結構基底上不需要生長納米結構的表面覆蓋 蒸發Cr。
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