[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201010161138.1
• 申請日: 2010-04-07
• 公開（公告）號: CN101859710A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 鄉戶宏充;井上卓之
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/363
• 分類號: H01L21/363;H01L29/24;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 李玲

1.一種半導體裝置，包括：

襯底上的第一柵電極及第二柵電極；

覆蓋所述第一柵電極及所述第二柵電極的柵極絕緣層；

設置在所述柵極絕緣層上并與所述第一柵電極重疊的第一氧化物半導體層；

設置在所述第一氧化物半導體層上并與該第一氧化物半導體層電連接的第一源電極或漏電極，所述第一源電極或漏電極包括包含第一材料的第一導電層和所述第一導電層上的包含第二材料的第二導電層；

設置在所述柵極絕緣層上的第二源電極或漏電極，所述第二源電極或漏電極包括包含所述第一材料的第三導電層和所述第三導電層上的包含所述第二材料的第四導電層；以及

設置在所述第二源電極或漏電極上并與該第二源電極或漏電極電連接的第二氧化物半導體層，所述第二氧化物半導體層與所述第二柵電極重疊。

2.一種半導體裝置，包括：

襯底上的第一柵電極及第二柵電極；

覆蓋所述第一柵電極及所述第二柵電極的柵極絕緣層；

設置在所述柵極絕緣層上并與所述第一柵電極重疊的第一氧化物半導體層；

設置在所述第一氧化物半導體層上并與該第一氧化物半導體層電連接的第一源電極或漏電極，所述第一源電極或漏電極包括包含第一材料的第一導電層和所述第一導電層上的包含第二材料的第二導電層；

設置在所述柵極絕緣層上的第二源電極或漏電極，所述第二源電極或漏電極包括包含所述第二材料的第三導電層；以及

設置在所述第二源電極或漏電極上并與該第二源電極或漏電極電連接的第二氧化物半導體層，所述第二氧化物半導體層與所述第二柵電極重疊。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一氧化物半導體層的一部分用作p溝道型晶體管的溝道形成區域，并且，所述第二氧化物半導體層的一部分用作n溝道型晶體管的溝道形成區域。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述第一氧化物半導體層的一部分用作p溝道型晶體管的溝道形成區域，并且，所述第二氧化物半導體層的一部分用作n溝道型晶體管的溝道形成區域。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一材料是該第一材料與所述第一氧化物半導體層之間的肖特基勢壘為0.5eV以下的材料，并且，所述第二材料是該第二材料與所述第二氧化物半導體層之間的肖特基勢壘為0.5eV以下的材料。

6.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述第一材料是該第一材料與所述第一氧化物半導體層之間的肖特基勢壘為0.5eV以下的材料，并且，所述第二材料是該第二材料與所述第二氧化物半導體層之間的肖特基勢壘為0.5eV以下的材料。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一材料是其功函數大于5.0eV的材料，并且，所述第二材料是其功函數小于4.8eV的材料。

8.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述第一材料是其功函數大于5.0eV的材料，并且，所述第二材料是其功函數小于4.8eV的材料。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極電連接，并且，所述第一源電極或漏電極與所述第二源電極或漏電極電連接。

10.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極電連接，并且，所述第一源電極或漏電極與所述第二源電極或漏電極電連接。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一氧化物半導體層與所述第一導電層接觸，并且，所述第二氧化物半導體層與所述第三導電層及第四導電層接觸。

12.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述第一氧化物半導體層與所述第一導電層接觸，并且，所述第二氧化物半導體層與所述第三導電層接觸。

13.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一氧化物半導體層包括選自氧化錫、氧化鋅、氧化鎳、銅鋁氧化物、氧化鍶銅中的材料。

14.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述第一氧化物半導體層包括選自氧化錫、氧化鋅、氧化鎳、銅鋁氧化物、氧化鍶銅中的材料。